磁芯电感器的谐波失真分析 摘 要：简述了改进铁氧体软磁材料比损耗系数和磁滞常数ηB，从而降低总谐波失真THD的历史过程，分析了诸多因数对谐波测量的影响，提出了磁心性能的调控方向。 关键词：比损耗系数， 磁滞常数ηB ，直流偏置特性DC-Bias，总谐波失真THD Analysis on THD of the fer rite co res u ...
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标签： 磁芯 电感器 分 谐波失真
上传时间： 2014-12-24
上传用户：7891
天河软件公司是专业、专门从事企业信息化整体解决方案（CAD/ CAPP/ EDPS/ PDM…）开发、咨询、集成及实施、服务供应商，高新技术企业。产品线覆盖设计、管理、工艺、生产信息化领域，自主版权软件5大体系19个产品。天河软件在业内享有：“设计、管理信息化专家，工艺、生产信息化领跑者”的美誉。 十年来，天河公司已经积累 ...
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标签： PCCAD 2010 使用手册
上传时间： 2013-10-18
上传用户：haojiajt
根据汽车发动机控制芯片的工作环境，针对常见的温度失效问题，提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0.18 μm CMOS工艺，采用电流型带隙基准电压源结构，具有适应低电源电压、电源抑制比高的特点。同时还提出一种使用不同温度系数的电阻进行高阶补偿的方法，实现了较宽温度范围内的低温度系 ...
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标签： 发动机 温差 基准电压源 环境
上传时间： 2014-01-09
上传用户：ecooo
基于HHNEC 0.35um BCD工艺设计了一种应用于峰值电流模升压转换器的动态斜坡补偿电路。该电路能够跟随输入输出信号变化，相应给出适当的补偿量，从而避免了常规斜坡补偿所带来的系统带载能力低及瞬态响应慢等问题。经Cadence Spectre验证，该电路能够达到设计要求。 ...
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标签： 峰值 升压转换器 动态 电流模
上传时间： 2013-10-11
上传用户：ysystc699
电路如果存在不稳定性因素，就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点，运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO，电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3 pF ...
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标签： LDO 无片外电容 稳定性分析
上传用户：wangjin2945
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR） ...
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标签： CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
制作电器控制柜的规则
/dl/22761.html
标签： 控制柜 制作工艺 规程
上传时间： 2013-11-05
上传用户：kaje
针对污水处理厂剩余污泥含水率高，达到70%~80%，不利于进一步处理的问题，根据污水成分及其处理工艺特点，提出了一种基于高压脉冲电场技术的污水处理的方法。本文从理论上系统地阐述了高压脉冲电场处理装置的研制，设计了低成本高压脉冲电源，最高电压10 kV，最大电流50 A，并且能方便的调节电场参数。 ...
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标签： 高压脉冲 电场 污水处理 系统研究
上传时间： 2013-10-10
上传用户：taiyang250072
利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在电源电压为1.8 ...
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标签： LDO 无片外电容 瞬态 电路设计
上传时间： 2013-12-20
上传用户：niumeng16
基于1 μm 40V BCD 工艺，使用Cadence软件对原边反馈AC/DC控制器进行仿真和分析。线补偿技术可以使原边反馈AC/DC电路获得很好的负载调整率，抵消电感上所消耗的电压和整流二极管上的压降，使输出达到的最佳值。在输入加220 V交流电压时，输出结果最大值为5.09 V，最小值为5 V，最大负载调整率为9.609%。 ...
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标签： ACDC 线补偿 反馈 控制器
上传时间： 2013-10-20
上传用户：sglccwk
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