电路如果存在不稳定性因素，就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点，运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO，电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3 pF ...
/dl/22489.html
标签： LDO 无片外电容 稳定性分析
上传时间： 2014-12-24
上传用户：wangjin2945
利用RC高通电路的思想，针对LDO提出了一种新的瞬态增强电路结构。该电路设计有效地加快了LDO的瞬态响应速度，而且瞬态增强电路工作的过程中，系统的功耗并没有增加。此LDO芯片设计采用SMIC公司的0.18 μm CMOS混合信号工艺。仿真结果表明：整个LDO是静态电流为3.2 μA；相位裕度保持在90.19°以上；在电源电压为1.8 ...
/dl/22943.html
标签： LDO 无片外电容 瞬态 电路设计
上传时间： 2013-12-20
上传用户：niumeng16
单片机作为一种微型计算机，其内部具有一定的存储单元（8031除外），但由于其内部存储单元及端口有限，很多情况下难以满足实际需求。为此介绍一种新的扩展方法，将数据线与地址线合并使用，通过软件控制的方法实现数据线与地址线功能的分时转换，数据线不仅用于传送数据信号，还可作为地址线、控制线，用于传送地址信号和控 ...
/dl/29174.html
标签： 单片机 P0口 数据存储器 扩展
上传时间： 2014-12-26
上传用户：adada
这是一个MSC51单片机程序它读出片外RAM中的数据从串行口发向机
/dl/166656.html
标签： MSC RAM 51 单片机程序
上传时间： 2014-12-21
上传用户：dave520l
LPC2200的片外FLASH的分散加载例子,嵌入式程序!
/dl/167420.html
标签： FLASH 2200 LPC 分散
上传时间： 2014-11-27
上传用户：mikesering
用PIC单片机的I2C接口读写片外EEPROM(AT24C08,也可以直接用到AT24C01/02/04/16)
/dl/175206.html
标签： EEPROM AT 24 PIC
上传时间： 2014-01-11
上传用户：bjgaofei
拨码开关控制灯 独立按键控制片外流水灯
/dl/210905.html
标签： 拨码开关 控制灯 按键控制 独立
上传时间： 2014-02-23
上传用户：坏天使kk
C8051F340开发板开发的通过调试片外电阻的值，通过片内AD进行数据采集的例子，包括交叉开关的使用!
/dl/272667.html
标签： C8051F340 开发板 调试 电阻
上传时间： 2016-03-18
上传用户：z754970244
单片机扩展片外RAM,用到的芯片有373,62256这里包涵了测试与串口调试等程序,可以用于扩展调试与串口通讯调试等
/dl/287960.html
标签： 62256 RAM 373 扩展
上传时间： 2014-11-23
上传用户：hj_18
基于ARM7 TDMI 的SoC 片内AC97 模块和片外CODEC UCB1400 ,采用ITU T 的G. 721 算法设计 语音处理系统 提出一种基于低端RISC 核的语音系统设计方案。该方案结合SoC 的片内eSRAM 模块 进行性能优化 通过在流片后的实际样机上验证,编码速率为19. 88 KB/ s ,解码速率为22. 68 KB/ s ,达到 了语音实时性要求。 ...
/dl/294292.html
标签： G. CODEC ARM7 1400
上传时间： 2016-05-10
上传用户：zhuoying119
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