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180nm工艺 979

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  • 时分交替ADC系统数字校准算法

    随着现代通信与信号处理技术的不断发展,对于高速高精度AD转换器的需求越来越大。但是,随着集成电路工艺中电路特征线宽的不断减小,在传统单通道ADC框架下同时实现高速、高精度的数模转换愈加困难。此时,时分交替ADC 作为... ...

    /dl/13715.html

    标签: ADC 时分 数字校准

    上传时间: 2013-07-08

    上传用户:mylinden

  • 基于FPGA的多路光栅数据采集系统

    随着现代测控技术的发展,在精密测量领域,光栅传感器在位移和角度测量中的使用越来越广泛。由于受到光栅刻线工艺的限制,为了提高光栅传感器的测量精度,往往需要使用电子方法对光栅信号进行细分辨向和计数。而在实际测... ...

    /dl/13769.html

    标签: FPGA 多路 光栅 数据采集系统

    上传时间: 2013-05-30

    上传用户:夜月十二桥

  • 实用磁路设计

    ·内容简介本书讲述磁路设计的基本原理、设计方法,列举了设计实例。介绍了相关的磁性材料、磁路系统测量方法和设备。在第2版中又补充了磁路研究和设计的新进展,如Bl标准、磁路散热、磁流体等。还介绍了一些磁路设计软件、磁性材料标准等。本书为扬声器行业、音响行业的设计人员、工艺人员、生产管理人员量身打造。对磁性 ...

    /dl/15023.html

    标签: 磁路

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:asd_123

  • 高级ASIC芯片综合

    ·【内容简介】本书第2版描述了使用Synopsys工具进行ASIC芯片综合、物理综合、形式验证和静态时序分析的最新概念和技术,同时针对VDSM(超深亚微米)工艺的完整ASIC设计流程的设计方法进行了深入的探讨。.本书的重点是使用Synopsys32具解决各种VDSM问题的实际应用。读者将详细了解有效处理复杂亚微米ASIC的设计方法,其重点是 ...

    /dl/15311.html

    标签: ASIC 芯片

    上传时间: 2013-05-20

    上传用户:diets

  • 电子元器件及手工焊接

    ·作者:陈俊安 编丛书名:高职高专实习实训教材出版社:水利水电出版社ISBN:9787508433578出版时间:2006-8-1版次:1印次:页数:88字数:139000纸张:胶版纸包装:平装开本:定价:14 元内容提要本书是一本介绍电子手工焊接工艺的实训教材,内容涉及基本电子元件、焊锡、助焊剂、焊接工具、焊接操作、PCB板及元件的安装 ...

    /dl/15722.html

    标签: 电子元器件 手工焊接

    上传时间: 2013-04-24

    上传用户:redmoons

  • LED 发光二极管原理

    将LED 从工艺,测试等方面做简单介绍。

    /dl/16467.html

    标签: LED 发光二极管

    上传时间: 2013-07-26

    上传用户:LYNX

  • 计PLD/FPGA时通常采用几种时钟类型

    无沦是用离散逻辑、可编程逻辑,还是用全定制硅器件实现的任何数字设计,为了成功地操\r\n作,可靠的时钟是非常关键的。设计不良的时钟在极限的温度、电压或制造工艺的偏差情况下将\r\n导致错误的行为,并且调试困难、花销很大。 在设计PLD/FPGA时通常采用几种时钟类型。时钟可\r\n分为如下四种类型:全局时钟、门控时钟、 ...

    /dl/18710.html

    标签: FPGA PLD 时钟

    上传时间: 2013-09-04

    上传用户:yelong0614

  • 高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计

    基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2 MHz,相位裕 ...

    /dl/20305.html

    标签: CMOS 增益 低功耗 轨到轨

    上传时间: 2013-11-04

    上传用户:xlcky

  • 一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

    提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。 ...

    /dl/20318.html

    标签: LDMOS 射频集成电路 击穿

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:603100257

  • 一种带振幅调节的晶体振荡器

    设计了一种带振幅控制的晶体振荡器,用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现,仿真和测试结果都能满足设计要求。 ...

    /dl/20448.html

    标签: 振幅 调节 晶体振荡器

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:maricle