介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR） ...
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标签： CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证
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标签： 高电源抑制 带隙基准 电路设计
上传时间： 2013-10-08
上传用户：642778338
在传统正温度系数电流基础上,增加两种不同材料的电阻以实现带隙基准的二阶温度补偿,采用具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器,使得所设计的带隙基准电路,具有较高的精度和温度稳定性。
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标签： 高精度 带隙基准源
上传时间： 2013-10-18
上传用户：604759954
摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准 ...
/dl/24688.html
标签： 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间： 2013-11-19
上传用户：王成林。
电压带隙基准一个在模拟电路中很重的一部分，本文论述了带隙基准的一个高阶补偿方法
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标签： 电压 带隙基准 分 模拟电路
上传时间： 2014-01-02
上传用户：huql11633
一种基于LDO稳压器的带隙基准电压源设计
/dl/744218.html
标签： ldo 稳压器 电压源
上传时间： 2021-10-17
上传用户：wky20090436
高精度曲率校正带隙基准电压源的设计68页
/dl/744219.html
标签： 电压源
上传用户：zinuoyu
jssc上优秀文章，用CMOS建立的基准电路
/dl/20800.html
标签： 带隙基准
上传时间： 2013-10-20
上传用户：fanboynet
根据汽车发动机控制芯片的工作环境，针对常见的温度失效问题，提出了一种应用在发动机控制芯片中的带隙基准电压源电路。该电路采用0.18 μm CMOS工艺，采用电流型带隙基准电压源结构，具有适应低电源电压、电源抑制比高的特点。同时还提出一种使用不同温度系数的电阻进行高阶补偿的方法，实现了较宽温度范围内的低温度系 ...
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标签： 发动机 温差 基准电压源 环境
上传时间： 2014-01-09
上传用户：ecooo
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数， ...
/dl/23073.html
标签： CMOS 高电源抑制 工艺 基准电压源
上传时间： 2014-12-03
上传用户：88mao
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