给出了两种应用于两级CMOS 运算放大器的密勒补偿技术的比较,用共源共栅密勒补偿技术设计出的CMOS 运放与直接密勒补偿相比,具有更大的单位增益带宽、更大的摆率和更小的信号建立时间等优点,还可以在达到相同补偿效果的情况下极大地减小版图尺寸. 通过电路级小信号等效电路的分析和仿真,对两种补偿技术进行比较,结果验证了 ...
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标签： 共源共栅 运放 补偿 比较
上传时间： 2013-10-14
上传用户：gengxiaochao
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。 ...
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标签： CMOS 工艺 共源共栅 偏置电路
上传时间： 2013-10-08
上传用户：debuchangshi
并联有源共模电流抑制方法的matlab仿真，建立仿真模型，分析补偿特性
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标签： matlab 并联 共模电流 仿真
上传时间： 2015-09-14
上传用户：清风冷雨
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR） ...
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标签： CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
在传统正温度系数电流基础上,增加两种不同材料的电阻以实现带隙基准的二阶温度补偿,采用具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器,使得所设计的带隙基准电路,具有较高的精度和温度稳定性。
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标签： 高精度 带隙基准源
上传时间： 2013-10-18
上传用户：604759954
摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准 ...
/dl/24688.html
标签： 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间： 2013-11-19
上传用户：王成林。
近年来，以电池作为电源的微电子产品得到广泛使用，因而迫切要求采用低电源电压的模拟电路来降低功耗。目前低电压、低功耗的模拟电路设计技术正成为微电子行业研究的热点之一。 在模拟集成电路中，运算放大器是最基本的电路，所以设计低电压、低功耗的运算放大器非常必要。在实现低电压、低功耗设计的过程中，必须考虑电路 ...
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标签： CMOSBiCMOS 低压 低功耗
上传时间： 2013-06-29
上传用户：saharawalker
设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流水线（Pipelined）ADC的运放。设计基于SMIC 0.25 μm CMOS工艺，在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结 ...
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标签： CMOS 增益提高 运算 放大器设计
上传时间： 2014-12-23
上传用户：jiiszha
介绍了广泛应用于各种电流模式电路的第二代电流控制电流传输器原件的跨导线性环特性和端口特性，以及其基本组成共源共栅电流镜，并提出了基于共源共栅电流镜的新型COMS电流传输器。在此基础上，设计了基于电流控制电流传输器的电流模式积分电路，并利用Hspice软件进行输入为正弦波和方波时的输出波形的仿真验证。 ...
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标签： CCCII 电流模式 积分电路
上传时间： 2013-10-22
上传用户：wtrl
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可 ...
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标签： 模拟集成电路
上传时间： 2013-11-13
上传用户：chengxin
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