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  • CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

    为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的 ...

    /dl/20971.html

    标签: CoolMOS VDMOS 导通电阻

    上传时间: 2013-10-21

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  • COOLMOS_原理结构

    看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下: 对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,E ...

    /dl/20973.html

    标签: COOLMOS

    上传时间: 2014-12-23

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  • CoolMos的原理、结构及制造

    对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不 ...

    /dl/20993.html

    标签: CoolMos 制造

    上传时间: 2013-11-11

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  • 超薄芯片Backend工艺分析及失效研究

    本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题,阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立,并解决了这两个工艺中关键问题,使得工艺获得好的成品率,提高了产品的可靠性,实现了大规模量产。流程(一)介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司(ASMC)开发的一种特殊工艺,工艺采用特殊背面去应力工艺,通过机械应力 ...

    /dl/836983.html

    标签: 超薄芯片 backend工艺

    上传时间: 2022-06-26

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  • 大功率超声波逆变电源的研制

    大功率超声波装置除用于工业清洗外,在食品、纺织、饮用水处理及石油行业中也有广阔的应用前景。超声波装置由超声波逆变电源和换能器组成。其所用的功率器材经历了电子管、晶闸管、晶体管和IGBT(或VDMOS)四个阶段,后一代产品比前一代产品在性能、效率、可靠性等方面都有所提高。特别是近年来由于在电路设计中采用了新型 ...

    /dl/841227.html

    标签: 大功率 超声波 电源

    上传时间: 2022-07-29

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