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CoolMOS 8

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  • CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

    为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的 ...

    /dl/20971.html

    标签: CoolMOS VDMOS 导通电阻

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:1427796291

  • COOLMOS全面认识

    Recently a new technology for high voltage Power MOSFETshas been introduced – the CoolMOS™ . Based on thenew device concept of charge compensation the RDS(on) areaproduct for e.g. 600V transistors has been reduced by afactor of 5. The devices show no bipolar current contributionlike th ...

    /dl/20990.html

    标签: COOLMOS

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:zhyiroy

  • CoolMos的原理、结构及制造

    对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不 ...

    /dl/20993.html

    标签: CoolMos 制造

    上传时间: 2013-11-11

    上传用户:小眼睛LSL

  • 新型组合式COOLMOS器件在开关电源中的应用研究

      COOLMOS ICE2A165/265/365是Infineon technologies 公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片,其突出特点是由其组成的开关电源,在市电电网中工作时,无需外加散热器即可输出20~50W的输出功率;且能自动降低空载时的工作频率,从而降低待机状态的损耗;同时还具有过、欠压保护、过热保护、过流保护以及自恢复功能,因而在 ...

    /dl/23885.html

    标签: COOLMOS 组合式 器件 中的应用

    上传时间: 2013-10-17

    上传用户:HGH77P99

  • COOLMOS_原理结构

    看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下: 对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,E ...

    /dl/20973.html

    标签: COOLMOS

    上传时间: 2014-12-23

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  • COOLMOS__ICE2A系列的应用研究

    由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165/2,65/365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片,其优点是:用它做开关电源,无需加散热器,在通用电网即可输出20~50W 的功率;保护功能齐全;电路结构简单;能自动降低空载时的工作频率,从而降低待机状态的损耗,故在中小功率开关电源中有着广泛的应用前景。 ...

    /dl/20976.html

    标签: COOLMOS ICE 应用研究

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:chenjjer

  • 600V_CoolMOS优化设计

    CoolMOS具有优越的直流特性。为了设计出一个600V CoolMOS结构,首先CoolMOS的结构人手,结合电荷平衡

    /dl/20979.html

    标签: V_CoolMOS 600 优化设计

    上传时间: 2013-10-27

    上传用户:netwolf

  • 你一定需要!2019最新门极驱动选型指南

    英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度,缩短开发时间,节省用料(BOM)及电路板空间,相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案,可提高方案的可靠度。每一个功率 ...

    /dl/839394.html

    标签: 门极驱动

    上传时间: 2022-07-16

    上传用户:13692533910