运算放大器是模拟系统的主要构件。它们可以提供增益、缓冲、滤波、混频和多种运算功能。在系统结构图中,运算放大器用三角形表示,有五个接点:正极电源、负极电源、正极输入、负极输入和输出,如图1(所有图片均在本文章最后)所示。电源脚用来为器件加电。它们可以连接 +/- 5V 电源,或在特殊考虑的情况下,连接 +10V ...
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标签: 运算放大器 模拟系统 构件
上传时间: 2013-12-21
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用动画的方式进行模拟,介绍模电里的基础性原理,像PN节 二极管 三极管 CMOS
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标签: 模拟电子 视频教程
上传时间: 2013-10-30
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/dl/20938.html
上传时间: 2013-10-18
上传用户:bruce
/dl/20941.html
标签: 模拟 器件 动画 教程
上传时间: 2013-11-06
上传用户:吾学吾舞
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的 ...
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标签: CoolMOS VDMOS 导通电阻 分
上传时间: 2013-10-21
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本电路针对过程控制应用提供一款完全可编程的通用模拟前端(AFE),支持2/3/4线RTD配置、带冷结补偿的热电偶输入、单极性和双极性输入电压、4 mA至20 mA输入,串行控制的8通道单刀单掷开关ADG1414用于配置选定的测量模式。 ...
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标签: 过程 控制应用 可编程 模拟前端
上传时间: 2013-10-23
上传用户:taozhihua1314
MOS关模型 Cgs:由源极和沟道区域重叠的电极形成的,其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd:是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠,第二是耗尽区电容(非线性)。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds:也是非线性的电容,它是体二极管的结电容,也是和电压相关的。这些电容都是由Spe ...
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标签: MOS 驱动 功耗计算
上传时间: 2013-12-09
上传用户:qlpqlq
桥架设计合理,保证合适的线缆弯曲半径。上下左右绕过其他线槽时,转弯坡度要平缓,重点注意两端线缆下垂受力后是否还能在不压损线缆的前提下盖上盖板。放线过程中主要是注意对拉力的控制,对于带卷轴包装的线缆,建议两头至少各安排一名工人,把卷轴套在自制的拉线杆上,放线端的工人先从卷轴箱内预拉出一部分线缆,供合作 ...
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标签: 综合布线系统
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第二部分:DRAM 内存模块的设计技术..............................................................143第一章 SDR 和DDR 内存的比较..........................................................................143第二章 内存模块的叠层设计......................................................................... ...
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标签: DRAM 内存模块 设计技术
上传时间: 2014-01-13
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sg3525工作原理的结构图,及各脚的用途
/dl/22891.html
标签: 3525 SG 工作原理 应用技巧
上传时间: 2013-10-08
上传用户:moshushi0009
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