IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小 ...
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标签： IGBT 模块
上传时间： 2013-11-03
上传用户：panpanpan
设计了用于汽车防撞雷达的功率放大器，为了消除在K波段的寄生效应的影响，设计了直流偏置、输入输出匹配网络、耦合隔直和电源滤波的微带网络。通过ADS仿真，得到了噪声系数为2.33，最大输出功率为18.5 dBm，增益为8.5 dB的功率放大器。文中设计的功率放大器适用于FMCW雷达系统。 ...
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标签： 汽车防撞 功率放大器 仿真设计 雷达系统
上传时间： 2013-10-14
上传用户：bpgfl
一、 尺寸：长63mmX宽48mmX高16mm 二、 主要芯片：FR1205(NMOS) 三、 输入控制电压：直流5V 输出控制电压12V~55V，电流为44A 四、串口下载程序 五、 特点： 1、输入控制电源与被控电源隔离 2、具有四路输出信号指示。 3、具有四路光耦隔离 4、四路输入信号低电平有效时有效 5、输入使用排针可方便与单片机设备相连 6、输出 ...
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标签： 场效应管 使用说明 模块
上传时间： 2013-10-09
上传用户：zhf01y
MOS管的资料
/dl/20657.html
标签： MOS 场效应管 参数 型号
上传时间： 2013-11-19
上传用户：xieguodong1234
模电
/dl/20861.html
标签： 场效应管 放大电路
上传时间： 2013-10-31
上传用户：小眼睛LSL
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的 ...
/dl/20971.html
标签： CoolMOS VDMOS 导通电阻 分
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
华成英主编
/dl/21083.html
标签： 场效应管 基本放大电路
上传时间： 2013-12-24
上传用户：y13567890
§5.1 频率响应概述 §5.2 晶体管的高频等效模型 §5.3 场效应管的高频等效模型 §5.4 单管放大电路的频率响应 §5.5 多级放大电路的频率响应 §5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 §5.7 频率响应与阶跃响应
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标签： 放大电路 频率响应
上传时间： 2013-11-12
上传用户：CHENKAI
§2.1 概述 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 静态工作点的稳定 §2.5 三种基本接法 §2.6 派生电路 §2.7 场效应管放大电路
/dl/21111.html
标签： 基本放大电路
上传时间： 2013-11-17
上传用户：inwins
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可 ...
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标签： 模拟集成电路
上传时间： 2013-11-13
上传用户：chengxin
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