设计了一种基于L6562的单级PFC反激LED电源，阐述了该电源的工作原理，对相关公式进行了推导，对功率因数校正功能的实现进行了分析，并提出了提升效率的方法。最后制作了原理样机，通过实验验证了该LED驱动电源的高效率、高功率因数的特点。 ...
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标签： L6562 PFC LED 反激
上传时间： 2013-10-29
上传用户：透明的心情
针对振动能量采集器的输出功率过低不足以直接驱动无线传感器的问题，设计了振动自供能无线传感器的电源管理电路，根据调谐和阻抗变换原理对能量采集器进行了阻抗匹配，以最大功率对储能超级电容进行充电，对能量存储和电源管理电路的充放电特性进行了理论分析和实验验证。结果表明，该电路大幅度提高了采集器的输出功率和对 ...
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标签： 振动 无线传感器 电源管理 电路
上传时间： 2013-10-14
上传用户：wbwyl
通过实验测试了硅能电池、阀控式铅酸电池和超级电容的各项性能，分析了三种电池在运行中与终端后备电源有关的特性；对比硅能电池与传统阀控式铅酸蓄电池特性，证实了硅能电池作为终端后备电源要强于铅酸蓄电池；分析了超级电容作为终端后备电源的可行性，证实了超级电容在高低温下均能达到很有效的容量保持率。针对蓄电池和 ...
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标签： 智能配电 后备电源 方案
上传时间： 2013-11-11
上传用户：jasonheung
提出一种增加去耦支路损耗抑制电源分配网络PDN中并联谐振的方法。该方法通过在去耦支路引入一个串联电阻，使PDN的损耗增加，从而抑制PDN并联谐振。给出了理论模型，借助Hyperlynx PI仿真软件在DM642板卡上进行仿真实验。结果表明，在去耦支路引入一个0.45 Ω电阻，可将PDN并联谐振处的品质因数Q从282抑制到13。同时， ...
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标签： 电源分配 并联谐振 网络
上传时间： 2013-11-16
上传用户：dick_sh
结合功率MOSFET管不同的失效形态，论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式，并说明了产生这样的损坏形态的原因，也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别，从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化 ...
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标签： MOSFET 开关电源 功率 分
上传时间： 2013-11-14
上传用户：dongqiangqiang
使用 InfiniiVision 3000 X 系列示波器的 DSOX3PWR 电源测量和分析可以快速轻松地分析开关电源的效率和可靠性。
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标签： DSOX3PWR 电源测试 用户
上传用户：glxcl
串联高频逆变电源的逆变桥一定要遵守先关断后导通的原则，即上下桥臂存在一定的死区时间。本文基于对全桥逆变换流分析的基础上，以设计最佳死区为目的，最终通过计算得出了使开关器件工作于零电压开关（ZVS）条件时的死区时间，且设计了以CD4046和SG3525为核心的控制电路，给出了谐振网络参数的计算。 ...
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标签： 串联谐振 高频逆变 电源设计
上传时间： 2013-10-20
上传用户：stella2015
电路如果存在不稳定性因素，就有可能出现振荡。本文对比分析了传统LDO和无片电容LDO的零极点，运用电流缓冲器频率补偿设计了一款无片外电容LDO，电流缓冲器频率补偿不仅可减小片上补偿电容而且可以增加带宽。对理论分析结果在Cadence平台基上于CSMC0.5um工艺对电路进行了仿真验证。本文无片外电容LDO的片上补偿电容仅为3 pF ...
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标签： LDO 无片外电容 稳定性分析
上传时间： 2014-12-24
上传用户：wangjin2945
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR） ...
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标签： CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
针对目前LED驱动电源功率因数不高和效率低等问题，设计了一款高功率因数高效率的反激式LED驱动电源。阐述了单级PFC的基本原理，并给出了PFC的优化设计方法。分析了电源的整体效率和电磁干扰的来源，提出了提高效率的方法和抑制电磁干扰的途径。实验测试结果表明，该驱动电源具有高功率因数、高效率的特点；同时 ...
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标签： PFC 反激电源
上传时间： 2013-10-13
上传用户：yanyangtian
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