LDO使用之热阻考虑
/dl/22948.html
标签: LDO 热阻
上传时间: 2013-10-12
上传用户:bs2005
测试贴片热阻小软件
/dl/37470.html
标签: LED 软件 结温 测试
上传时间: 2013-10-17
上传用户:stampede
/dl/38149.html
上传时间: 2013-11-03
上传用户:xmsmh
关于热阻的一些详细的介绍:从理论分析并加上一些实例来说明
/dl/482245.html
标签: 热阻 分
上传时间: 2017-08-25
上传用户:VRMMO
TDA1521是荷兰飞利浦公司设计的低失真度及高稳度的芯片。 其中的参数为:TDA1521在电压为±16V、阻抗为8Ω时,输出功率为2×15W,此时的失真仅为0.5%。输入阻抗20KΩ, 输入灵敏度600mV,信噪比达到85dB。其电路设有等待、静噪状态,具有过热保护,低失调电压高纹波抑制,而且热阻极低,具有极佳的高频解析力和低频力度。其 ...
/dl/15522.html
标签: 双声道 功放电路图 音箱 电路设计
上传时间: 2013-07-04
上传用户:myworkpost
结合大功率LED热流模型和结构,我们不难看出,影响大功率LED热阻的主要因素有:1. LED晶片的导热能力;2. 固晶粘合胶的导热能力以及粘合的品质;3. 器件(包括晶片)热通道的长度;4. 灌封材料的热导能力;5. 热沉的热导能力。 ...
/dl/24214.html
标签: LED 导热 传热 散热技术
上传时间: 2013-11-11
上传用户:caoyuanyuan1818
目前cPU+ Memory等系统集成的多芯片系统级封装已经成为3DSiP(3 Dimension System in Package,三维系统级封装)的主流,非常具有代表性和市场前景,SiP作为将不同种类的元件,通过不同技术,混载于同一封装内的一种系统集成封装形式,不仅可搭载不同类型的芯片,还可以实现系统的功能。然而,其封装具有更高密度和更大的发 ...
/dl/832216.html
标签: sip封装
上传时间: 2022-04-08
上传用户:tigerwxf1
1,Vs:集射极阻断电压在可使用的结温范围内,栅极和发射极短路状况下,集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据,随着结温的降低,VcEs会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感,IGBT在关断时Vcs最容易超过限值2,Poat:最大允许功耗在25℃时,IGBT开关的最大允许功率损耗,即通过结到壳的热帆所允许的最大耗散功Pat =(Ty ...
/dl/836349.html
标签: igbt
上传时间: 2022-06-21
上传用户:kid1423
0引言任何器件在工作时都有一定的损耗,大部分的损耗均变成热量。在实际应用过程中,大功率器件IGBT在工作时会产生很大的损耗,这些损耗通常表现为热量。为了使ICBT能正常工作,必须保证IGBT的耗散功率不大于最大允许耗散功率P额定1660 w,室温25℃时),必须保证1GBT的结温T,不超过其最大值Timar 50 ℃),因此必须采用适 ...
/dl/836350.html
标签: 大功率器件 igbt 散热
上传用户:ooaaooxx
热阻是评价IGBT可靠性的重要指标.寻找简便高精度的测量方法对IGBT热阻进行测试具有十分重要的意义.根据JESD51—14中的瞬态热阻抗定义式,提出了一种可以快速、准确计算IGBT模块结壳热阻的方法
/dl/836965.html
标签: igbt 瞬态结壳温升
上传时间: 2022-06-26
上传用户:20125101110
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