1,Vs:集射极阻断电压
在可使用的结温范围内,栅极和发射极短路状况下,集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据,随着结温的降低,VcEs会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感,IGBT在关断时Vcs最容易超过限值
2,Poat:最大允许功耗
在25℃时,IGBT开关的最大允许功率损耗,即通过结到壳的热帆所允许的最大耗散功Pat =(Ty-T)/Rtaie其中,Ty为结温, 为环境温度。二极管的最大功耗可以用同样的公式获得。
在这里,顺便解释下这几个热阻,Rtice 结到壳的热阻抗,乘以发热量获得结与克的温差;Rthig芯片热源到周围空气的总热阻抗,乘以发热量获得器件温升;Rehb芯片结与PCB间的热阻抗,乘以单板散热量获得与单板的温差。
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