提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。 ...
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标签： LDMOS 射频集成电路 击穿
上传时间： 2013-10-18
上传用户：603100257
雪崩击穿与齐纳击穿的区别
/dl/20826.html
标签： 雪崩击穿 击穿 齐纳
上传时间： 2013-11-18
上传用户：linyao
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。 ...
/dl/21233.html
标签： p-n 隧道 击穿 模型研究
上传时间： 2013-10-31
上传用户：summery
电磁炉烧坏IGBT 功率管的八种因素在电磁炉维修中，功率管的损坏占有相当大的比例，若在没有查明故障原因的情况下贸然更换功率管会引起再次烧毁。一：谐振电容和滤波电容损坏0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容损坏或容量不足若0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容容量变小、失效或特性不良，将导致电磁炉LC 振荡 ...
/dl/836382.html
标签： 电磁炉 igbt
上传时间： 2022-06-22
上传用户：woyaotandang
随着电力电子技术的发展，高压换流设备在工业应用中日益广泛。其核心元件晶闸管（SCR）的电压与电流越来越高（已达到10KV/10KA以上），应用场合要求也越来越高。在国际上，晶闸管的光控技术发展日益成熟。根据对国内晶闸管技术发展前景和需求的展望，本文采用自供电驱动技术与光控技术相结合，研发光控自供电晶闸管驱动控制 ...
/dl/8565.html
标签： 高压变频器 逆变 晶闸管
上传时间： 2013-05-26
上传用户：riiqg1989
开关电源的安全及EMC设计 基于EMC 的ESD 防护设计静电问题是一直困扰电子产品的问题，静电放电导致 ... 经验 认为，每千伏的静电电压击穿距离在1mm 左右，因此PCB 器件，走线
/dl/13331.html
标签： EMC 开关电源
上传时间： 2013-07-23
上传用户：liu_yuankang
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的 ...
/dl/20971.html
标签： CoolMOS VDMOS 导通电阻 分
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
BucK变换器在开关转换瞬间．由于线路上存在感抗，会在主功率管和二极管上产生电压尖峰，使之承受较大的电压应力和电流冲击，从而导致器件热损坏及电击穿 因此，为避免此现象，有必要对电压尖峰的原因进行分析研究，找出有效的解决办法。 ...
/dl/21391.html
标签： BUCK 变换 尖峰
上传时间： 2013-10-15
上传用户：youth25
电子电焊机是应用广泛的焊接设备，其体积小重量轻，是取代传统电焊机的现代焊接设备，是由IGBT为核心的电能转换设备，这类设备容易出现因电路及IGBT击穿等短路情况，从而发生烧坏电线、引起火灾的危险事故。为此，工程师必须做好电路的过载保护设计工作，必须确保在任何情况下的可靠性与安全性---万瑞和技术提供 ...
/dl/21537.html
标签： 电子 保护器 电焊机 自恢复保险丝
上传时间： 2013-11-17
上传用户：1397412112
PCB 布线原则连线精简原则连线要精简，尽可能短，尽量少拐弯，力求线条简单明了，特别是在高频回路中，当然为了达到阻抗匹配而需要进行特殊延长的线就例外了，例如蛇行走线等。安全载流原则铜线的宽度应以自己所能承载的电流为基础进行设计，铜线的载流能力取决于以下因素：线宽、线厚（铜铂厚度）、允许温升等，下表给出了 ...
/dl/22299.html
标签： PCB 布线原则
上传时间： 2013-11-24
上传用户：气温达上千万的
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