FPGA中实现rs232串口通信程序，上位机和FPGA互发数据
/dl/17880.html
标签： FPGA 232 rs 串口通信
上传时间： 2013-08-14
上传用户：xc216
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小 ...
/dl/20163.html
标签： IGBT 模块
上传时间： 2013-11-03
上传用户：panpanpan
设计了用于汽车防撞雷达的功率放大器，为了消除在K波段的寄生效应的影响，设计了直流偏置、输入输出匹配网络、耦合隔直和电源滤波的微带网络。通过ADS仿真，得到了噪声系数为2.33，最大输出功率为18.5 dBm，增益为8.5 dB的功率放大器。文中设计的功率放大器适用于FMCW雷达系统。 ...
/dl/20532.html
标签： 汽车防撞 功率放大器 仿真设计 雷达系统
上传时间： 2013-10-14
上传用户：bpgfl
MOS管的资料
/dl/20657.html
标签： MOS 场效应管 参数 型号
上传时间： 2013-11-19
上传用户：xieguodong1234
模电
/dl/20861.html
标签： 场效应管 放大电路
上传时间： 2013-10-31
上传用户：小眼睛LSL
单电源运算放大器
/dl/20895.html
标签： 单电源 运算放大器 去耦 电路设计
上传时间： 2013-11-17
上传用户：dapangxie
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的 ...
/dl/20971.html
标签： CoolMOS VDMOS 导通电阻 分
上传时间： 2013-10-21
上传用户：1427796291
华成英主编
/dl/21083.html
标签： 场效应管 基本放大电路
上传时间： 2013-12-24
上传用户：y13567890
§5.1 频率响应概述 §5.2 晶体管的高频等效模型 §5.3 场效应管的高频等效模型 §5.4 单管放大电路的频率响应 §5.5 多级放大电路的频率响应 §5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 §5.7 频率响应与阶跃响应
/dl/21102.html
标签： 放大电路 频率响应
上传时间： 2013-11-12
上传用户：CHENKAI
§2.1 概述 §2.2 基本共射放大电路的工作原理 §2.3 放大电路的分析方法 §2.4 静态工作点的稳定 §2.5 三种基本接法 §2.6 派生电路 §2.7 场效应管放大电路
/dl/21111.html
标签： 基本放大电路
上传用户：inwins
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