采用有限元法计算半导体的带隙结构和波函数。
/dl/222899.html
标签： 有限元法 半导体 函数 带隙结构
上传时间： 2014-01-15
上传用户：Avoid98
计算弹性波带隙结构，主要针对二维的弹性波计算z方向的带系结构
/dl/351591.html
标签： 计算 弹性 带隙结构
上传时间： 2013-12-20
上传用户：tianyi223
平面波展开法计算正方形结构光子晶体的带隙的程序，二维，平面
/dl/224001.html
标签： 计算 正 光子晶体 带隙
上传时间： 2014-11-27
上传用户：helmos
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR） ...
/dl/22696.html
标签： CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
这是个光子晶体一维二维及三维带隙，带结构或色散关系分析设计，很好用
/dl/244281.html
标签： 光子晶体 二维 带隙
上传时间： 2013-12-27
上传用户：2525775
介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证
/dl/22945.html
标签： 高电源抑制 带隙基准 电路设计
上传时间： 2013-10-08
上传用户：642778338
在传统正温度系数电流基础上,增加两种不同材料的电阻以实现带隙基准的二阶温度补偿,采用具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器,使得所设计的带隙基准电路,具有较高的精度和温度稳定性。
/dl/24248.html
标签： 高精度 带隙基准源
上传时间： 2013-10-18
上传用户：604759954
摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准 ...
/dl/24688.html
标签： 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间： 2013-11-19
上传用户：王成林。
利用matlab计算三维光子晶体带隙的fdtd算法
/dl/170379.html
标签： matlab fdtd 计算 光子晶体
上传时间： 2015-07-01
上传用户：zhyiroy
本程序是用matlab仿真软件和解析法来计算光子晶体带隙的
/dl/173656.html
标签： matlab 程序 仿真软件 光子晶体
上传时间： 2014-01-08
上传用户：离殇
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