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  • EMC封装材料

    松下2015年最新研究的适用于SiC,GaN等大功率器件的封装材料介绍

    /dl/510472.html

    标签: 封装 热稳定性

    上传时间: 2016-04-20

    上传用户:吉林辉仔

  • Full-Duplex+Small+Cells

    The recent developments in full duplex (FD) commu- nication promise doubling the capacity of cellular networks using self interference cancellation (SIC) techniques. FD small cells with device-to-device (D2D) communication links could achieve the expected capacity of the future cellular networks (5G ...

    /dl/521906.html

    标签: Full-Duplex Cells Small

    上传时间: 2020-05-27

    上传用户:shancjb

  • GaN-on-Si+Displace+Si+and+SiC

    GaN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronics industry. For about 10 years, GaN devices have also been developed for RF wireless applications where they can replace Silicon transistors in some selected systems. That incursion in the RF field ha ...

    /dl/522320.html

    标签: GaN-on-Si Displace and SiC Si

    上传时间: 2020-06-07

    上传用户:shancjb

  • 智能汽车时代_功率半导体的发展新机遇-210603

    电动汽车、SiC功率管发展趋势

    /dl/744707.html

    标签: 智能电动汽车

    上传时间: 2021-10-26

    上传用户:joshau007

  • 基于NE555设计的声音传感器模块ALTIUM硬件原理图+PCB文件

    基于NE555设计的声音传感器模块ALTIUM硬件原理图+PCB文件,2层板设计,大小为29x30mm,Altium Designer 设计的工程文件,包括原理图及PCB文件,可以用Altium(AD)软件打开或修改,可作为你的产品设计的参考。主要器件型号列表如下:Library Component Count : 8Name                ...

    /dl/745852.html

    标签: ne555 声音传感器

    上传时间: 2021-11-17

    上传用户:moh2000

  • BTS7960大功率直流电机驱动板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件 2层板设计 大小为66 7

    BTS7960大功率直流电机驱动板ALTIUM设计硬件原理图+PCB文件,2层板设计,大小为66*76mm, 包括完整的原理图和PCB工程文件,可以做为你的设计参考。主要器件如下:Library Component Count : 13Name                Description---------------------------------------------------- ...

    /dl/746039.html

    标签: bts7960 大功率 直流电机驱动

    上传时间: 2021-11-21

    上传用户:pagedown

  • 你一定需要!2019最新门极驱动选型指南

    英飞凌EiceDRIVER门极驱动芯片选型指南2019门极驱动芯片相当于控制信号(数字或模拟控制器)与功率器件(IGBT、MOSFET、SiC MOSFET和GaN HEMT)之间的接口。集成的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度,缩短开发时间,节省用料(BOM)及电路板空间,相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案,可提高方案的可靠度。每一个功率 ...

    /dl/839394.html

    标签: 门极驱动

    上传时间: 2022-07-16

    上传用户:13692533910

  • 20kW全桥谐振LLC转换器

    此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在全桥LLC电路中的系统性能,该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计,具有开尔文源极连接,可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口 ...

    /dl/839556.html

    标签: 全桥谐振 LLC转换器

    上传时间: 2022-07-17

    上传用户:zhaiyawei