SiC衬底X波段GaNMMIC的研究博士论文
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标签： GaNMMIC SiC 衬底 X波段
上传时间： 2017-04-24
上传用户：mikesering
论文仿真原型程序,仿真四种（ZF,ZF-SIC,MMSE,MMSE-SIC） Vblast接收的检测性能，绘制误比特率～信噪比曲线。 发端初始化=============================================================== 发射天线数tx,接收天线数rx,发射矩阵长度L(帧长)
/dl/456056.html
标签： MMSE-SIC Vblast ZF-SIC MMSE
上传时间： 2017-06-22
上传用户：hwl453472107
Cree公司生产的SiC MOSFET器件，型号C2M00802012D，在应用器件前需要进行双脉冲实验，实验中用到的主电路原理图（包括PCB文件），驱动和测试原理介绍提供在附件中。其中PCB文件是Gerber文件格式，可以直接交厂制作，不需修改。
/dl/508387.html
标签： SiC 原理图 双脉冲测试
上传时间： 2015-12-01
上传用户：mawei_1990
ROHM最近推出了SiCMOSFET的新系列产品“SCT3xxxxR系列”。SCT3xxxxR系列采用最新的沟槽栅极结构，进一步降低了导通电阻；同时通过采用单独设置栅极驱动器用源极引脚的4引脚封装，改善了开关特性，使开关损耗可以降低35%左右。此次，针对SiCMOSFET采用4引脚封装的原因及其效果等议题，我们采访了ROHM株式会社的应用工程师。 ...
/dl/745357.html
标签： sic mosfet 封装
上传时间： 2021-11-07
上传用户：joshau007
该文档为SiC功率半导体器件发展历程、优势和发展前景概述文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
/dl/747275.html
标签： sic 功率半导体器件
上传时间： 2021-12-15
上传用户：tigerwxf1
该文档为SiC功率半导体器件的优势及发展前景总结文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
/dl/747408.html
上传时间： 2021-12-18
上传用户：zhengtiantong
基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 分享一个基于SiC MOSFET的20kW全桥LLC变换器 Demo
/dl/747738.html
标签： sic mosfet LLC变换器
上传时间： 2021-12-21
上传用户：lipengxu
半导体云讲堂——宽禁带半导体（GaN、SiC）材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料， 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状， 范德堡法为更通用的四探针测量技术，对样品形状没有要求， 且不需 ...
/dl/827694.html
标签： 半导体 gan sic
上传时间： 2022-01-03
上传用户：zinuoyu
本应用笔记详细记载了关于罗姆的SiC 器件的特性及使用方法。从分立器件到模块，面向各种应用，SiC器件的优势和使用上的注意点，从初次接触SiC器件到熟知产品的各位，都可以得到应用和帮助
/dl/829376.html
标签： sic 功率器件
上传时间： 2022-02-08
上传用户：shjgzh
该文档为SiC-碳化硅-功率半导体的介绍讲解文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
/dl/829656.html
标签： sic 碳化硅 功率半导体
上传时间： 2022-02-14
上传用户：bluedrops
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