介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-40~100 ℃的温度范围内,输出电压摆动仅为1.7 mV,在低频时达到100 dB以上的电源抑制比(PSRR) ...
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标签: CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间: 2013-10-27
上传用户:thesk123
介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证
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标签: 高电源抑制 带隙基准 电路设计
上传时间: 2013-10-08
上传用户:642778338
文中提出了一种带功率因数校正的LED日光灯驱动电源,该电源具有电路简单、可靠的优点,实测数据表明,在较宽电压范围内,驱动电源工作稳定,其具有较高功率因数.
/dl/23289.html
标签: LED 功率因数校正 日光灯 驱动电源
上传时间: 2013-11-23
上传用户:jing911003
18层带人防住宅楼电施图-强电
/dl/23874.html
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上传时间: 2014-05-29
上传用户:csgcd001
带数显功能的双锂电池电量监测系统.
/dl/24073.html
标签: 数显 锂电池 电量监测系统
上传时间: 2013-10-20
上传用户:zhangyigenius
在传统正温度系数电流基础上,增加两种不同材料的电阻以实现带隙基准的二阶温度补偿,采用具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器,使得所设计的带隙基准电路,具有较高的精度和温度稳定性。
/dl/24248.html
标签: 高精度 带隙基准源
上传时间: 2013-10-18
上传用户:604759954
摘要:采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC0.18Um CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益,电源抑制比达到-100dB,电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV,是一种有效的基准 ...
/dl/24688.html
标签: 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间: 2013-11-19
上传用户:王成林。
单路带数码管可编程可调节延时模块
/dl/24913.html
标签: 数码管 可编程 延时 调节
上传时间: 2013-10-07
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XQ_V1.0小雄带您学习单片机原理图适合初学者的
/dl/24949.html
标签: XQ_V 1.0 单片机 原理图
上传时间: 2013-10-31
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AT89c52控制数码管带温度显示的万年历
/dl/25090.html
标签: 89c c52 AT 89
上传时间: 2013-10-30
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