本文针对传统仪用放大电路的特点，介绍了一种高共模抑制比仪用放大电路，引入共模负反馈，大大提高了通用仪表放大器的共模抑制能力。
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标签： 共模抑制比 仪用放大 电路 方案
上传时间： 2013-11-10
上传用户：lingfei
本文阐述电视机、显示器和微机等产品的谐波电流产生原因，介绍抑制谐波电流的方法及设计时应考虑的问题。 关键词：谐波电流、抑制技术
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标签： 谐波电流抑制
上传时间： 2013-11-01
上传用户：a673761058
抑制△I 噪声一般需要从多方面着手, 但通过PCB 设计抑制△I 噪声是有效的措施之一。如何通过PCB 设计抑制△I 噪声是一个亟待深入研究的问题。在对△I 噪声的产生、特点、主要危害等研究的基础上, 讨论了辐射干扰机理, 重点结合PCB 和EMC 研究的新进展, 研究了抑制△I 噪声的PCB 设计方法。对通过PCB 设计抑制△I 噪声的研 ...
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标签： PCB 设计方法
上传时间： 2014-12-24
上传用户：时代电子小智
现代的电子设计和芯片制造技术正在飞速发展，电子产品的复杂度、时钟和总线频率等等都呈快速上升趋势，但系统的电压却不断在减小，所有的这一切加上产品投放市场的时间要求给设计师带来了前所未有的巨大压力。要想保证产品的一次性成功就必须能预见设计中可能出现的各种问题，并及时给出合理的解决方案，对于高速的数字电路 ...
/dl/22287.html
标签： 信号完整性
上传时间： 2014-05-15
上传用户：dudu1210004
第一部分 信号完整性知识基础.................................................................................5第一章 高速数字电路概述.....................................................................................51.1 何为高速电路.................................................................. ...
/dl/22291.html
标签： PCB 内存 仿真技术
上传时间： 2014-04-18
上传用户：wpt
共模干扰和差模干扰是电子、 电气产品上重要的干扰之一，它们 可以对周围产品的稳定性产生严重 的影响。在对某些电子、电气产品 进行电磁兼容性设计和测试的过程 中，由于对各种电磁干扰采取的抑 制措施不当而造成产品在进行电磁 兼容检测时部分测试项目超标或通 不过EMC 测试，从而造成了大量人 力、财力的浪费 ...
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标签： 共模干扰 差模 分 干扰
上传时间： 2014-01-16
上传用户：tdyoung
提出一种增加去耦支路损耗抑制电源分配网络PDN中并联谐振的方法。该方法通过在去耦支路引入一个串联电阻，使PDN的损耗增加，从而抑制PDN并联谐振。给出了理论模型，借助Hyperlynx PI仿真软件在DM642板卡上进行仿真实验。结果表明，在去耦支路引入一个0.45 Ω电阻，可将PDN并联谐振处的品质因数Q从282抑制到13。同时， ...
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标签： 电源分配 并联谐振 网络
上传时间： 2013-11-16
上传用户：dick_sh
全桥变换器中磁通不平衡的抑制。
/dl/22648.html
标签： 全桥变换器 不平衡 磁通
上传时间： 2013-10-22
上传用户：nunnzhy
介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR） ...
/dl/22696.html
标签： CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
N+缓冲层设计对PT-IGBT器件特性的影响至关重要。文中利用Silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行仿真。提取相同电流密度下，不同N+缓冲层掺杂浓度PT-IGBT的通态压降，得到了通态压降随N+缓冲层掺杂浓度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于PT-IGBT结构，N+缓冲层浓度及厚度存在最优值，只要合理的选取可以有效地降 ...
/dl/22789.html
标签： PT-IGBT 缓冲层
上传时间： 2013-11-12
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