介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上，通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法，大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明：在-40~100 ℃的温度范围内，输出电压摆动仅为1.7 mV，在低频时达到100 dB以上的电源抑制比（PSRR） ...
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标签： CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间： 2013-10-27
上传用户：thesk123
数字电压表 AD芯片： 采用8位串行A/D转换器ADC0832。 ● 8位分辨率，逐次逼近型，基准电压为 5V ● 5V单电源供电 ● 输入模拟信号电压范围为 0～5V ● 有两个可供选择的模拟输入通道 显示： 使用三个数码管。 显示范围： 0.00 － 5.10 （单位：V） 连接方式： AD_CLK → P1.0 AD_DAT → P1.1 AD_CS → P3.4 模拟输 ...
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标签： 0832 ADC 8位 数字电压表
上传时间： 2015-06-18
上传用户：fandeshun
/dl/311237.html
上传时间： 2016-06-21
上传用户：zhangliming420
/dl/311238.html
上传用户：懒龙1988
数字电压表 AD芯片： 采用8位串行A/D转换器ADC0832。 ● 8位分辨率，逐次逼近型，基准电压为 5V ● 5V单电源供电 ● 输入模拟信号电压范围为 0～5V ● 有两个可供选择的模拟输入通道 显示： 使用P0口的数码管显示转换值。 显示范围： 0.00 － 5.10 （单位：V） 连接方式： AD_CLK → P1.0 AD_DAT → P1.1 AD_CS → ...
/dl/311239.html
上传时间： 2013-12-05
上传用户：dreamboy36
数字电压表 AD芯片： 采用8位串行A/D转换器ADC0832。 ● 8位分辨率，逐次逼近型，基准电压为 5V ● 5V单电源供电 ● 输入模拟信号电压范围为 0～5V ● 有两个可供选择的模拟输入通道
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上传时间： 2016-09-30
上传用户：jiahao131
日常生活的电子产品和子系统变得越来越智能，这就需要其“大脑”（硅芯片）在面对现实环境中多种多样情况时，能够对各种可能最终影响系统行为和性能做出可预测和期望的反应。这时，基准电压源就出现在我们面前了。基准电压源是一种精密的器件，专门设计用来维持恒定的输出电压，即使在环境温度或者电源电压等参数变化的情况 ...
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标签： 基准电压源 VREF
上传时间： 2022-07-11
上传用户：yui0900826
IR2110是IR公司的桥式驱动集成电路芯片，它采用高度集成的电平转换技术，大大简化了逻辑电路对功率器件的控制要求，同时提高了驱动电路的可靠性[1]。对于我设计的含有ZCS环节的单相光伏逆变电路中有6个IGBT，只需要3片芯片即可驱动，通过dsp2812控制实现软开关和逆变的功能，同时只需要提供3.3 V，12 V的基准电压即可 ...
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标签： 2110 IR 驱动芯片 光伏逆变电路
上传时间： 2014-01-05
上传用户：tom_man2008
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数， ...
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标签： CMOS 高电源抑制 工艺 基准电压源
上传时间： 2014-12-03
上传用户：88mao
摘要：采用共源共栅运算放大器作为驱动，设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路，并在TSMC0.18Um CMOS工艺下，采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明：在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益，电源抑制比达到-100dB，电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV，是一种有效的基准 ...
/dl/24688.html
标签： 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间： 2013-11-19
上传用户：王成林。
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