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沟道增强 1429

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  • 沟道式公厕节水控制器仿真

    很实用的

    /dl/38501.html

    标签: 控制器 仿真

    上传时间: 2013-11-16

    上传用户:weareno2

  • AO3403 P沟道增强型场效应晶体管

    AO3403

    /dl/42166.html

    标签: 3403 AO 沟道增强 场效应晶体管

    上传时间: 2015-01-03

    上传用户:qwerasdf

  • 模拟cmos集成电路设计

    拉扎维经典著作,陈贵灿等翻译。介绍了mos工艺短沟道效应\   单级和差动放大频响反馈/震荡/封装工艺等

    /dl/507903.html

    标签: 模拟cmos集成电路

    上传时间: 2015-09-12

    上传用户:牙膏没有泡泡

  • 先进的高压大功率器件——原理 特性和应用

    本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性, 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 (GTO) 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和 ...

    /dl/745066.html

    标签: 大功率器件

    上传时间: 2021-11-02

    上传用户:GGMD

  • 国产MOS预驱动芯片EG3013 手册

    高端悬浮自举电源设计,耐压可达100V内建死区控制电路自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通采用半桥达林顿管输出结构具有1A 大电流栅极驱动能力 专用于无刷电机N 沟道MOS 管、IGBT 管栅极驱动HIN 输入通道高电平有效,控制高端HO 输出LIN 输入通道低电平有效,控制低端LO 输出外围器件少静态电流小:4.5mA 封装形式 ...

    /dl/827624.html

    标签: mos

    上传时间: 2022-01-02

    上传用户:wwa875

  • 电子教程-MOS门电路.ppt

    电子教程-MOS门电路.ppt场效应三极管:电压控制元件,仅用一种载流子参与导电。电子作为载流子称为N沟道器件,空穴作为载流子的称为P沟道器件。每一类又分为增强型和耗尽型两种

    /dl/829856.html

    标签: mos 门电路

    上传时间: 2022-02-18

    上传用户:xsr1983

  • 电流检测电路中运算放大器与ADC的设计

    电学中的测量技术涉及范围非常广,电流测量在电学计量中占有非常重要的位置。如何精确地进行电流测量是精密测量的一大难题。传统的电流检测电路多采用运算放大芯片与片外电流检测电路相结合的方式,电路集成度很低,需要较多的接口和资源才能完成对电路的检测。本文把所有电路部分都集成在一块芯片上,包括检测电阻,运算放大器 ...

    /dl/831992.html

    标签: 电流检测 电路 运算放大器 adc

    上传时间: 2022-04-03

    上传用户:sheng199241

  • 基于H桥PWM控制的直流电机正反转调速驱动控制电路

    摘要:以N沟道増强型场效应管为核心,基于H桥PWM控制原理,设计了一种直流电机正反转调速驱动控制电路,满足大功率直流电机驱动控制。实验表明该驱动控制电路具有结构简单、驱动能力强、功耗低的特点。关键词:N沟道增强型场效应管;H桥;PWM控制;电荷泵;功率放大;直流电机1引言长期以来,直流电机以其良好的线性特性、 ...

    /dl/832323.html

    标签: pwm 直流电机

    上传时间: 2022-04-10

    上传用户:jiabin

  • 怎样判断IGBT、MOS管的好坏

    怎样判断IGBT MOS管的好坏?怎么检测它的引脚?IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡,用万用表测量时, 若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大, 则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量, 若测得阻值为无穷大, 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则 ...

    /dl/836380.html

    标签: igbt mos管

    上传时间: 2022-06-22

    上传用户:2431247090

  • TMC5160步进驱动开发板电路图

    TMC5160将强大的步进电机驱动器和运动控制器集成在一块芯片上,将数字信息直接转换为平滑,精确,可靠的物理运动。外扩N沟道MOSFETs,每个线圈的电机电流可达20A,最大电压60V DC;使用起来非常简单,只需要目标位置即可。所有步进电机逻辑都在TMC5160内部运行 - 当驱动NEMA17到NEMA34和更大的电机时,不需要软件。通过行业 ...

    /dl/837854.html

    标签: tmc5160 步进驱动

    上传时间: 2022-07-02

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