介绍一种基于CSMC0.5 μm工艺的低温漂高电源抑制比带隙基准电路。本文在原有Banba带隙基准电路的基础上,通过采用共源共栅电流镜结构和引入负反馈环路的方法,大大提高了整体电路的电源抑制比。 Spectre仿真分析结果表明:在-40~100 ℃的温度范围内,输出电压摆动仅为1.7 mV,在低频时达到100 dB以上的电源抑制比(PSRR) ...
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标签: CMOS 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间: 2013-10-27
上传用户:thesk123
为了有效地利用太阳能,有必要对光伏发电系统进行最大功率点跟踪(MPPT)控制研究。文中以两级式光伏并网发电系统为研究对象,建立了任意外界环境下的光伏阵列数学模型。由于光伏阵列的非线性输出特性,将模糊控制思想引入最大功率点跟踪,提出占空比模糊控制的扰动观察法的MPPT控制策略,并通过计算机进行仿真验证。与传统 ...
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标签: MPPT 模糊控制 光伏发电系统
上传时间: 2014-01-07
上传用户:ls530720646
介绍一种高电源抑制比带隙基准电路的设计与验证
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标签: 高电源抑制 带隙基准 电路设计
上传时间: 2013-10-08
上传用户:642778338
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺,设计了一种高电源抑制比,同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压,通过电压放大器放大得到稳定的电压,以提供给带隙核心电路作为供电电源,从而提高了电源抑制比。另外,将电路中的关键电阻设置为可调电阻,从而可以改变正温度电压的系数, ...
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标签: CMOS 高电源抑制 工艺 基准电压源
上传时间: 2014-12-03
上传用户:88mao
开关电源占空比学习实例及全图
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标签: 开关电源
上传用户:wtrl
摘要:采用共源共栅运算放大器作为驱动,设计了一种高电源抑制比和低温度系数的带隙基准电压源电路,并在TSMC0.18Um CMOS工艺下,采用HSPICE进行了仿真.仿真结果表明:在-25耀115益温度范围内电路的温漂系数为9.69伊10-6/益,电源抑制比达到-100dB,电源电压在2.5耀4.5V之间时输出电压Vref的摆动为0.2mV,是一种有效的基准 ...
/dl/24688.html
标签: 高电源抑制 带隙基准 电压源
上传时间: 2013-11-19
上传用户:王成林。
当今电子系统如高端处理器及记忆体,对电源的需求是趋向更低电压、更高电流的应用。同时、对负载的反应速度也要提高。因此功率系统工程师要面对的挑战,是要设计出符合系统要求的细小、价廉但高效率的电源系统。而这些要求都不是传统功率架构能够完全满足的。Vicor提出的分比功率架构(Factorized Power Architecture FPA)以 ...
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标签: 8226 分 功率架构 功率
上传时间: 2013-11-15
上传用户:yan2267246
针对目前矩阵变换器电压传输比多数只能达到0.866的问题,进行了深入研究,设计了一种泵式矩阵变换器结构,使电压传输比任意可调,并从机理上解决了矩阵式变换器的传输比低的问题。
/dl/24889.html
标签: 传输 矩阵变换器
上传用户:hanhanj
双色点阵控制卡原理图PCB
/dl/24969.html
标签: PCB 双色点阵 原理图 控制卡
上传时间: 2014-01-09
上传用户:evil
摘要:针对气相色谱热导检测器的弱信号失真问题,研究与设计热导检测器的弱信号测量电路及其单片机控制系统,进一步提高气相色谱热导检测系统的灵敏度和可靠性。关键词:热导检测 单片机控制 弱信号测量
/dl/30204.html
标签: 单片机控制 色谱 热导检测
上传时间: 2014-12-27
上传用户:stella2015
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