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  • 改进的基于模型匹配的快速目标识别

    文中建立不同类型目标的模型匹配数据库;采用最小周长多边形构造目标主体轮廓的近似多边形,以简化目标主体轮廓减少算法处理的数据量;提取具有仿射不变性的多边形顶点个数、最长线段两侧顶点个数、同底三角形面积比向量特征不变量对待识别目标进行描述,应用3个特征量在模型匹配数据库中逐一进行分层遍历搜索匹配。实验表 ...

    /dl/20235.html

    标签: 模型匹配 目标识别

    上传时间: 2013-10-20

    上传用户:q3290766

  • IBIS模型第3部分-利用IBIS模型研究信号完整性问题

    本文是关于在印刷电路板 (PCB) 开发阶段使用数字输入/输出缓冲信息规范(IBIS) 模拟模型的系列文章之第 3 部分(共三部分)。“第 1 部分”讨论了 IBIS仿真模型的基本组成,以及它们在 SPICE 环境中产生的过程1。“第 2 部分”讨论了 IBIS 模型有效性验证。2 在设计阶段,我们会碰到许多信号完整性问 ...

    /dl/20424.html

    标签: IBIS 模型 信号完整性

    上传时间: 2013-10-15

    上传用户:hehuaiyu

  • STD标准中信号模型同步和门控机制研究

    随着对IEEE1641标准研究的逐渐深入,信号的构建成为了研究重点。对信号模型进行同步和门控控制,可以影响到TSF(测试信号框架)模型的输出,从而达到控制信号的目的,使测试需求更加完善以及测试过程更加精确。

    /dl/20569.html

    标签: STD 标准 信号模型 门控机制

    上传时间: 2014-01-01

    上传用户:YUANQINHUI

  • 多时钟域的异步信号的参考解决

    多时钟域的异步信号的参考解决

    /dl/20570.html

    标签: 多时钟域 异步信号

    上传时间: 2013-11-06

    上传用户:极客

  • 基于仿射变换模型的图像跟踪系统的实现

    文中设计研制了一种新型的基于仿射变换模型的实时图像跟踪系统。本跟踪系统已经通过实践检验,能够稳定的、准确的、快速的跟踪目标。并且系统有很大的升级潜力,除了能够满足仿射变换跟踪的要求之外,还能适用于其他的一些算法,构成鲁棒性更强的图像跟踪系统。实践证明该跟踪系统性能优于经典的相关跟踪系统。 ...

    /dl/20776.html

    标签: 仿射变换 模型 图像跟踪系统

    上传时间: 2013-10-12

    上传用户:zsjzc

  • 基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法

    为了提高图像去噪效果,提出了基于Contourlet域HMT模型的Cycle Spinning去噪方法。首先将待去噪图像进行循环平移,使用Contourlet域HMT模型对平移后的图像进行降噪处理,然后将降噪后的图像进行循环反平移,最后将不同循环平移量下的降噪图像进行平均处理,以减少去噪后图像的失真。实验结果表明,该方法不仅可以提高降噪后 ...

    /dl/20811.html

    标签: Contourlet Spinning Cycle HMT

    上传时间: 2014-12-23

    上传用户:ddddddos

  • 场效应管的h参数等效模型

    主要介绍场效应管H参数的模型

    /dl/20997.html

    标签: 场效应管 h参数 等效模型

    上传时间: 2014-01-09

    上传用户:1966649934

  • 高等模拟集成电路

    近年来,随着集成电路工艺技术的进步,电子系统的构成发生了两个重要的变化: 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心,一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上(称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用,并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模,而且具有可 ...

    /dl/21118.html

    标签: 模拟集成电路

    上传时间: 2013-11-13

    上传用户:chengxin

  • 亳米波微带环行器设计模型

    本文依据微波电磁场理论概述了微带铁氧体器件在毫米波频率下的工作模式, 探讨了毫米波微带铁氧体器件的电参数的设计考虑, 对从事毫米波微带铁氧体器件的研究, 提供了基本的设计模型, 以期引起进一步的探讨。

    /dl/21223.html

    标签: 亳米波 微带环行器 模型

    上传时间: 2013-10-07

    上传用户:66666

  • p-n结的隧道击穿模型研究

    在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。 ...

    /dl/21233.html

    标签: p-n 隧道 击穿 模型研究

    上传时间: 2013-10-31

    上传用户:summery