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栅极 51

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  • MOSFET开关过程的研究及米勒平台振荡的抑制

    设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产 ...

    /dl/831921.html

    标签: mosfet

    上传时间: 2022-04-02

    上传用户:默默

  • 电子管功放电路全集

    前级放大器电路如图1所示,左右声道完全相同。它由两级电压放大加阴极输出器组成,V1为第一级电压放大。现代数码音源CD、DVD的输出电压一般都在2V左右,信号从IN输入,经R1衰减,通过栅极防振电阻R2加至V1栅极,V1将信号放大,然后从屏极取出放大后的信号电压经C1耦合到下一级。W1为V1交流负载的一部分,又是V2的栅极回路, ...

    /dl/832987.html

    标签: 电子管 功放

    上传时间: 2022-04-24

    上传用户:canderile

  • 基于DSP28335+IR2110芯片的移相全桥驱动电路设计

    为解决移相全桥电路驱动及相角控制问题,设计了一种数字控制的移相全桥驱动电路.以TPL521为光耦隔离、IR2110为栅极驱动芯片.由DSP产生PWM信号,经过光耦隔离和逻辑电路后送至IR2110进行相角控制.文章对IR2110驱动电路原理进行分析及参数进行设计,对TMS320F28335进行设置并给出部分代码.实验结果表明:通过TMS320F28335可产生 ...

    /dl/833438.html

    标签: dsp28335 ir2110 芯片

    上传时间: 2022-05-03

    上传用户:zhanglei193

  • 三菱第五代IGBT应用手册

    三菱电机功率器件在工业、电气化铁道、办公自动化、家电产品等多种领域的电力变换及电动机控制中得到广泛应用。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求,三菱电机积极致力于新型器件的研究、开发,为人类的节能和环保不断努力。第5代IGBT和IPM模块均采用三菱电机第5代IGBT硅 ...

    /dl/835936.html

    标签: igbt

    上传时间: 2022-06-19

    上传用户:shjgzh

  • 几种用于IGBT驱动的集成芯片

    在一般较低性能的三相电压源逆变器中, 各种与电流相关的性能控制, 通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可,如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时, 这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中IGBT 实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中, 对IGBT 驱动电路的要求相对比较简单, 成本也比较低。这种类型的 ...

    /dl/836094.html

    标签: igbt

    上传时间: 2022-06-20

    上传用户:yui0900826

  • IGBT失效分析技术

    近年来,对器件的失效分析已经成为电力电子领域中一个研究热点。本论文基于现代电力电子装置中应用最广的IGBT器件,利用静态测试仪3716,SEM(Scanning Electrom Microscope,扫描电子显微镜)、EDX(Energy Dispersive X-Ray Spectroscopy、能量色散x射线光谱仪)、FIB(Focused lon beam,聚焦高子束)切割、TEM(Thermal ...

    /dl/836329.html

    标签: igbt

    上传时间: 2022-06-21

    上传用户:1208020161

  • IGBT基本参数详解

    1,Vs:集射极阻断电压在可使用的结温范围内,栅极和发射极短路状况下,集射极最高电压。手册里一般为25℃下的数据,随着结温的降低,VcEs会逐渐降低。由于模块内外部的杂散电感,IGBT在关断时Vcs最容易超过限值2,Poat:最大允许功耗在25℃时,IGBT开关的最大允许功率损耗,即通过结到壳的热帆所允许的最大耗散功Pat =(Ty ...

    /dl/836349.html

    标签: igbt

    上传时间: 2022-06-21

    上传用户:kid1423

  • 电子元器件系列知识—IGBT

    一、IGBT 驱动1 驱动电压的选择IGBT 模块GE 间驱动电压可由不同地驱动电路产生。典型的驱动电路如图1 所示。图1 IGBT 驱动电路示意图Q1,Q2 为驱动功率推挽放大,通过光耦隔离后的信号需通过Q1,Q2 推挽放大。选择Q1,Q2 其耐压需大于50V 。选择驱动电路时,需考虑几个因素。由于IGBT 输入电容较MOSFET 大,因此IGBT 关断时 ...

    /dl/836351.html

    标签: 电子元器件 igbt

    上传时间: 2022-06-21

    上传用户:wky20090436

  • 大功率IGBT驱动保护电路的研究与应用

    IGBT是MOSFET和GTR的复合器件,它具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小和驱动电路简单的特点,又具有通态压降小、耐压高和承受电流大等优点.IGBT作为主流的功率输出器件,特别是在大功率的场合,已经被广泛的应用于各个领域。本文在介绍了1GBT结构、工作特性的基础上,针对风电变流器实验平台和岸电电源的实际应用,选择 ...

    /dl/836367.html

    标签: 大功率 igbt

    上传时间: 2022-06-22

    上传用户:kid1423

  • 怎样判断IGBT、MOS管的好坏

    怎样判断IGBT MOS管的好坏?怎么检测它的引脚?IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡,用万用表测量时, 若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大, 则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量, 若测得阻值为无穷大, 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则 ...

    /dl/836380.html

    标签: igbt mos管

    上传时间: 2022-06-22

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