CCD（ Charge Coupled Device ）全称为电荷耦合器件，是70 年代发展起来的新型半导体器件。它是在MOS集成电路技术基础上发展起来的，为半导体技术应用开拓了新的领域。它具有光电转换、信息存贮和传输等功能，具有集成度高、功耗小、结构简单、寿命长、性能稳定等优点，故在固体图像传感器、信息存贮和处理等方面得到了广泛 ...
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标签： ccd 图像传感器
上传时间： 2022-06-23
上传用户：zinuoyu
CCD 和CMOS 的区别一、CCD 和CMOS 在制造上的主要区别是CCD 是集成在半导体单晶材料上，而CMOS 是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上，工作原理没有本质的区别。CCD 只有少数几个厂商例如索尼、松下等掌握这种技术。而且CCD 制造工艺较复杂，采用CCD 的摄像头价格都会相对比较贵。事实上经过技术改造，目前CCD 和CMOS 的 ...
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标签： ccd cmos 摄像机
上传用户：tqsun2008
机械工业是国民经济的装备部门，而标准化和计量测试是机械工业发展的基础和先决条件。在机械制造中，精密加工必须靠精密的测量手段来保证，加工精度的提供与计量技术的发展水平密切相关。测量与控制是促进科技发展的一个重要因素。CCD（Charge Coupled Device），电荷耦合器件，是70年代初发展起来的新型半导体器件，其设计 ...
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标签： ccd 数据采集
上传用户：xsr1983
引言液晶显示器（LCD）作为一种成熟的显示技术已经深入到了人们生活的各个领域，但LCD也存在一些不足之处，例如亮度低、响应速度慢以及工作温度范围狭窄等。近年来各种新型显示器件不断出现，有机电致发光器件（OLEDD就是其中一种。有机发光显示是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光的 ...
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标签： spi oled
上传时间： 2022-06-24
上传用户：默默
[AN225301]使用Excelon LP SPI F-RAM低功耗模式进行设计铁电随机存储器（F-RAM），相对于其它类型的半导体技术而言，铁电随机存储器（F-RAM）具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器包括静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）以及其他类型存储器。 ...
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标签： 铁电随机存储器 F-RAM
上传时间： 2022-06-25
上传用户：20125101110
1引言现代电力电子学是研究用大功率半导体器件对电能进行变换与控制，达到节能、省材、高频、优化之目的。随着电力电子学的发展，工作频率已逐步由低频，向中频、高频方向发展。在电力电子学中，一般定义工作在400赫兹以下的频率称为低频；400赫兹以上、10千赫兹以下为中频；10千赫兹以上为高频。在实践中，人们逐渐认识到 ...
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标签： 高频
上传时间： 2022-06-26
上传用户：hao123
本文主要超薄芯片的背面金属化中的一些问题，阐述了两种主要的背面金属化工艺的建立，并解决了这两个工艺中关键问题，使得工艺获得好的成品率，提高了产品的可靠性，实现了大规模量产。流程（一）介绍了一种通过技术转移在上海先进半导体制造有限公司（ASMC）开发的一种特殊工艺，工艺采用特殊背面去应力工艺，通过机械应力 ...
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标签： 超薄芯片 backend工艺
上传用户：1208020161
一、DeviceNet概述DeviceNet 规范由Rockwell 自动化公司开发，并将其作为一个基于 CAN协议的开放式现场总线标准而公布。最初的 DeviceNet产品在1995年初出现。DeviceNet协议特别为工厂自动控制而定制，它在美国和亚洲扮演了非常重要的角色。在欧洲，越来越多的系统方案使用 DeviceNet来实现。ODVA（Open DeviceNet Vendor A ...
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标签： devicenet协议
上传用户：jimmy950583
HC32F003、HC32F005 、HC32L110 属于同一系列
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标签： 华大 hdsc
上传用户：hai7ying
AR0231AT7C00XUEA0-DRBR（RGB滤光）安森美半导体推出采用突破性减少LED闪烁 (LFM)技术的新的230万像素CMOS图像传感器样品AR0231AT，为汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)应用确立了一个新基准。新器件能捕获1080p高动态范围(HDR)视频，还具备支持汽车安全完整性等级B(ASIL B)的特性。LFM技术(专利申请中)消除交通信号灯和汽车LED照 ...
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标签： 图像传感器
上传时间： 2022-06-27
上传用户：XuVshu
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