EEPROM飞易失性存储器24c02读写编程 C语言(已通过测试)
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标签： EEPROM 24c02 C语言 易失性存储器
上传时间： 2014-01-09
上传用户：yyq123456789
本书内容包括： 快速有效的测试存储器芯片 如何写入和擦除快闪存储器 用循环冗余校验码验证非易失性存储器数据 与芯片的内部外设和外部外设接口 设计和实现设备驱动 优化嵌入式软件 最大限度高性能的应用C++特性 本书适用于嵌入式系统程序员、设计师和项目管理人员 ...
/dl/339982.html
标签： 测试 存储器芯片 存储器数据 外设
上传时间： 2016-08-31
上传用户：yph853211
FM25L256B是采用先进的铁电技术制造的256Kb非易失性存储器。铁电随机存储器（FRAM）具有非易失性，并且可以象RAM一样快速读写。数据在掉电后可以保存10年，同时消除由EEPROM和其他非易失性存储器导致的复杂性，开销和系统级别可靠性问题。 ...
/dl/346791.html
标签： 256 256B L256 FRAM
上传时间： 2016-09-26
上传用户：songrui
fm1808中文资料 描述 FM1808是用先进的铁电技术制造的 256K位的非易失性的记忆体 铁电随机 存储器 FRAM 是一种具有非易失 性 并且可以象RAM一样快速读写 但 它没有BBSRAM模组系统的设计复杂 性 缺点和相关的可靠性问题 数据在 掉电可以保存10年 高速写以及高擦写 次数使得它比EEPROM或其他非易失性 存储器可靠性更高 系统更 ...
/dl/445309.html
标签： 1808 256K FRAM RAM
上传时间： 2014-01-11
上传用户：zhangjinzj
VRS51L3074是一款嵌入非易失性 FRAM存储器的8051MCU。该器件8KB真正的非易失性随机存储器映像到VRS51L3074的XRAM存储寻址空间上充分发挥其快速读写以及读写寿命无限的特点。单周期8051处理器 内核可以提供高达 4O MIPS的吞吐量，并且与标准8051s指令兼容。 ...
/dl/465778.html
标签： L3074 3074 VRS 51L
上传时间： 2014-01-03
上传用户：米卡
2推荐：串口扩展芯片GM812X和非易失性存
/dl/164802.html
标签： 812X 812 GM 串口扩展
上传时间： 2015-06-16
上传用户：iswlkje
程控增益线性脉冲放大器的设计。 设计了一种新型程控增益线性脉冲放大器。采用准高斯CR2RC2CR 成形电路结构,使用非易失性数字电位器和精密运放,使电路结构大大简化,抗干扰能力强,增益多级连续变化平稳,且具有温漂低、脉冲线性好等特点 ...
/dl/350317.html
标签： CR2RC2CR 增益 程控 放大器
上传时间： 2013-11-27
上传用户：wcl168881111111
isoad系列产品实现传感器和主机之间的信号安全隔离和高精度数字采集与传输，广泛应用于rs-232/485总线工业自动化控制系统，4-20ma / 0-10v信号测量、监视和控制，小信号的测量以及工业现场信号隔离及长线传输等远程监控场合。通过软件的配置，可接入多种传感器类型，包括电流输出型、电压输出型、以及热电偶等等。 产品内部 ...
/dl/20974.html
标签： 20 mA D转换 模拟信号
上传时间： 2013-11-23
上传用户：comer1123
具有OBFL功能的电路板经配置后，可以把故障相关数据存储在非易失性存储器中，并可在日后加以检索和显示以用于故障分析。这些故障记录有助于电路板故障的事后检查。要实现OBFL系统功能，需要同时使用软硬件。在硬件方面，需要：a)确定给出电路板件故障信息的板载OBFL资源(如温度感应器、存储器、中断资源、电路板ID，等等)； ...
/dl/22265.html
标签： OBFL 故障记录
上传时间： 2013-11-03
上传用户：1595690
AT89LP216是一款低功耗、高性能CMOS8位单片机，它有2k字节ISPFlash存储器。产品生产采用Atmel的高密度非易失性存储器技术而且和工业标准de的MCS51指令集相兼容。AT89LP216基于一个加强性CPU内核，每时钟周期读取单子节指令。在经典8051结构中，每次读取需要6个时钟周期，使得执行指令需要12、24或者48个时钟周期。在AT89LP2 ...
/dl/29990.html
标签： Flash 216 89 AT
上传时间： 2013-10-24
上传用户：曹云鹏
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