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Simulating Nuclear Events in a TCAD Model of a High-Density SEU Hardened SRAM Technology.pdf

Simulating Nuclear Events in a TCAD Model of a High-Density SEU Hardened SRAM Technology.pdf

/dl/378566.html

标签： High-Density Simulating Technology Hardened

上传时间： 2016-12-13

上传用户：lili123

半导体仿真工具Silvaco TCAD学习资料

半导体仿真工具Silvaco TCAD学习资料，中文，第1章仿真准备，第2章二维工艺仿真，第3章二维器件仿真，第4章高级的特性，附录A 材料系统，附录B 物理

/dl/510055.html

标签： 器件仿真

上传时间： 2016-03-24

上传用户：虫虫网....

半导体仿真工具 silvaco tcad 学习资料

接触Silvaco TCAD仿真软件已经有很长时间了，这期间还熟悉了一下ISE TCAD。学习的过程中，老师、师兄姐和同学给了我极大的帮助。这本书的主旨就是希望提供一些对于Silvaco仿真的可资借鉴的经验。学习和使用Silvaco的时候各人的视角会不一样，虽然这本书只是介绍一些常用的仿真，例句也有限，但因为流程控制和语法都有相通的 ...

/dl/746325.html

标签： 半导体仿真 silvaco tcad

上传时间： 2021-11-27

上传用户：qingfengchizhu

半导体器件 sentaurus TCAD设计与应用[韩雁,丁扣宝][电子教案(PPT版本)]

Sentaurus TCAD全面继承了Tsuprem4，Medici和ISE-TCAD的特点和优势，它可以用来模拟集成器件的工艺制程，器件物理特性和互连线特性等。Sentaurus TCAD提供全面的产品套件，其中包括Sentaurus Workbench, Ligament, Sentaurus Process, Sentaurus Structure Editor, Mesh Noffset3D, Sentaurus Device, Tecplot SV Inspect, ...

/dl/837610.html

标签： 半导体器件 tcad

上传时间： 2022-06-30

上传用户：shjgzh

SiCOI MESFET的特性分析

使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。

/dl/21219.html

标签： MESFET SiCOI 特性分析

上传时间： 2013-10-23

上传用户：PresidentHuang

现代快恢复二极管设计方法的研究

基于改善快恢复二极管的的动态特性，通过对二极管的横、纵向参数来进行分析，理论上提出了快恢复二极管的设计方法，并且结合SILVACO-TCAD仿真软件进行验证；得出了现代快恢复二极管应降低阳极浓度、减小基区少子寿命，采用加缓冲层的结论；这种结构极大的改善了快恢复二极管的正向导通特性，达到了优化动态特性的目的。 ...

/dl/42082.html

标签： 恢复二极管设计方法

上传时间： 2013-11-12

上传用户：xc216

Sentaurus TCAD器件工艺模拟教程

Sentaurus是Synopsys公司的专门用于半导体器件制造工艺和电学特性仿真的EDA软件，可以给出掺杂、电势分布等物理特性。

/dl/837235.html

标签： sentaurus tcad器件工艺 EDA

上传时间： 2022-06-27

上传用户：jimmy950583

集成电路设计制造中EDA工具实用教程

《集成电路设计制造中EDA工具实用教程》共17章，分为三个部分。第一部分介绍半导体工艺和半导体器件仿真工具，分别介绍了Synopsys公司的TSUPREM4/MEDICI，ISE TCAD和Silvaco公司的Athena/Atlas等TCAD工具及其使用，并以ESD静电放电防护器件的设计及验证为实例介绍这些软件工具的应用。第二部分介绍了模拟集成电路设计工具的 ...

/dl/839422.html

标签： 集成电路 eda

上传时间： 2022-07-16

上传用户：zhaiyawei

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