分析了基于理想运算放大器构建的滤波器性能以及参数选原则。针对理想运算放大器所构建的滤波器模型当运算放大器为非理想器件时所制造出的滤波器响应性能并不理想这一问题。研究了非理想运算放大器构建的滤波器器件参数对响应时间的影响，提出了一种选取其最优参数值以构建所需滤波器的方法，实验结果表明了该方法的有效性。 ...
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标签： 运放 低通滤波电路 优化设计
上传时间： 2013-11-08
上传用户：fnggknj
随着软件无线电在中频领域的广泛应用，采用数字信号处理技术设计了基于FPGA全数字中频跟踪接收机并应用于遥感卫星天线接收系统中。给出了详细的理论说明和体统组成。该接收机结构简单，成本低，调试方便。在测试和实际应用中，该跟踪接收机输入信号的动态范围大，AGC和误差电压精度等指标较模拟接收机都有显著的提高。 ...
/dl/20278.html
标签： 全数字 接收机
上传时间： 2013-11-01
上传用户：y1021622747
分析了数字滤波器的原理，介绍了采用窗体函数法完成FIR数字滤波器，包括MATLAB仿真和DSP的实现方法。通过MATLAB仿真验证了所设计的滤波器具有良好的滤波功能，以TMS320F2812DSP为核心器件，用DSP控制器来实现FFT算法完成多点、实时控制。实验结果表明，该设计性能稳定、效果良好、实用性强。 ...
/dl/20280.html
标签： MATLAB FIR DSP 数字滤波器
上传时间： 2013-10-15
上传用户：lbbyxmoran
基于探索仿真三态门总线传输电路的目的，采用Multisim10仿真软件对总线连接的三态门分时轮流工作时的波形进行了仿真实验测试，给出了仿真实验方案，即用Multisim仿真软件构成环形计数器产生各个三态门的控制信号、用脉冲信号源产生各个三态门不同输入数据信号，用Multisim仿真软件中的逻辑分析仪多踪同步显示各个三态门的控 ...
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标签： Multisim 三态门 总线传输 仿真
上传时间： 2013-12-14
上传用户：jackandlee
简单介绍了ADI公司推出的新一代高性能模拟乘法器ADL5391的主要特性和工作原理。给出了基于ADL5391的宽带乘法器的典型应用电路，并对其进行了测试。最后设计了基于ADL5391的二倍频电路，测试结果表明该二倍频电路具有性能稳定、工作频带宽、测量精度高、抗干扰能力强等优点。 ...
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标签： 5391 ADL 模拟乘法器
上传时间： 2013-10-25
上传用户：FreeSky
针对信号检测中经常存在的噪声污染问题，利用小波分解之后可以在各个层次选择阈值，对噪声成分进行抑制，手段更加灵活。本文介绍了小波变换的一般理论以及在信号降噪中的应用，分析了被噪声污染后的信号的特性；利用MATLAB软件进行了信号降噪的模拟仿真实验并在降噪光滑性和相似性两个方面体现出小波变换的优势。本文分别使 ...
/dl/20288.html
标签： 小波分析 信号降噪 中的应用
上传时间： 2013-10-19
上传用户：alex wang
基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺，设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器，采用最大电流选择电路作为输入级，AB类结构作为输出级。通过cadence仿真，其输入输出均能达到轨到轨，整个电路工作在3 V电源电压下，静态功耗仅为0.206 mW，驱动10pF的容性负载时，增益高达100.4 dB，单位增益带宽约为4.2 MHz，相位裕 ...
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标签： CMOS 增益 低功耗 轨到轨
上传时间： 2013-11-04
上传用户：xlcky
电路仿真不仅应用于电路设计阶段，也用于电路故障诊断中。电路仿真结果能够为建立电路测试诊断知识库提供重要的参考信息。本文简要介绍了电路仿真收敛性的相关理论，分析了板级模拟电路直流分析和瞬态分析的仿真收敛性问题，深入探讨了电路仿真技术的原理和发展，重点研究了新的电路仿真算法，并将其应用于模拟电路仿真系统 ...
/dl/20307.html
标签： 板级 仿真 收敛性 技术研究
上传时间： 2014-12-23
上传用户：hopy
给出了一种快速设计任意弱耦合非对称渐变线定向耦合器的方法，以线性渐变为基础，通过仿真优化获取最优渐变，摆脱了传统方法中的复杂运算。为改善定向耦合器在频率高端的定向性，在结构上引入了锯齿加载。设计了一个带宽为0.5GHz到20GHz，耦合度为-25dB的定向耦合器，利用三维电磁仿真软件HFSS进行了结果验证。 ...
/dl/20310.html
标签： 耦合 定向耦合器 非对称
上传时间： 2013-10-21
上传用户：GeekyGeek
提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。 ...
/dl/20318.html
标签： LDMOS 射频集成电路 击穿
上传时间： 2013-10-18
上传用户：603100257
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