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  • suanfa de shiyan xw dui gan xingqu de pengyou you bangzhu

    suanfa de shiyan xw dui gan xingqu de pengyou you bangzhu

    /dl/267189.html

    标签: bangzhu pengyou suanfa shiyan

    上传时间: 2013-12-08

    上传用户:咔乐坞

  • GaN-on-Si+Displace+Si+and+SiC

    GaN is an already well implanted semiconductor technology, widely diffused in the LED optoelectronics industry. For about 10 years, GaN devices have also been developed for RF wireless applications where they can replace Silicon transistors in some selected systems. That incursion in the RF field ha ...

    /dl/522320.html

    标签: GaN-on-Si Displace and SiC Si

    上传时间: 2020-06-07

    上传用户:shancjb

  • 第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战

    作者:何亮,刘扬论文摘要:氮 化 镓 (G a N )材 料 具 有 优 异 的 物 理 特 性 ,非 常 适 合 于 制 作 高 温 、高 速 和 大 功 率 电 子 器 件 ,具 有 十 分 广 阔 的 市场前景 。 S i衬 底 上 G a N 基 功 率 开 关 器 件 是 目 前 的 主 流 技 术 路 线 ,其 中 结 型 栅 结 构 (p 型 栅 )和 共 源 共 栅 级 联 结 ...

    /dl/746888.html

    标签: 第三代半导体 GaN 功率开关器件

    上传时间: 2021-12-08

    上传用户:XuVshu

  • 硅基GaN功率半导体技术总结

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    /dl/747379.html

    标签: gan 功率半导体

    上传时间: 2021-12-17

    上传用户:joshau007

  • 基于GaN器件射频功率放大电路的设计总结

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    /dl/747824.html

    标签: GaN器件 射频功率放大电路

    上传时间: 2021-12-23

    上传用户:XuVshu

  • 半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN SiC)材料及器件测试

    半导体云讲堂——宽禁带半导体(GaN、SiC)材料及器件测试宽禁带半导体材料是指禁带宽度在3.0eV及以上的半导体材料, 典型的是碳化硅(SiC)、 氮化镓(GaN)、 金刚石等材料。 宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料。四探针技术要求样品为薄膜样品或块状, 范德堡法为更通用的四探针测量技术,对样品形状没有要求, 且不需 ...

    /dl/827694.html

    标签: 半导体 gan sic

    上传时间: 2022-01-03

    上传用户:zinuoyu

  • 硅基GaN功率半导体技术

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    /dl/830343.html

    标签: gan 功率半导体

    上传时间: 2022-02-28

    上传用户:qingfengchizhu

  • 基于GaN器件射频功率放大电路的设计

    本文主要是基于氮化锌(GaN)器件射频功率放大电路的设计,在s波段频率范围内,应用CREE公司的氮化稼(GaN)高电子迁移速率品体管(CGH40010和CGH40045)进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面:首先,设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内,对中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作 ...

    /dl/836131.html

    标签: GaN器件 射频功率放大电路

    上传时间: 2022-06-20

    上传用户:zinuoyu

  • GaN基LED材料特性研究及芯片结构设计

    本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后,从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分,介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围,然后根据实验分析了TEM图片,包括GaN多量子阱,重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形,分 ...

    /dl/836865.html

    标签: led

    上传时间: 2022-06-25

    上传用户:joshau007

  • EMC封装材料

    松下2015年最新研究的适用于SiC,GaN等大功率器件的封装材料介绍

    /dl/510472.html

    标签: 封装 热稳定性

    上传时间: 2016-04-20

    上传用户:吉林辉仔