ADuM320x是采用ADI公司iCoupler® 技术的双通道数字隔离器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光电二极管，因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler 数字接口和稳定的性能特征，可消除光耦合器通常具有的电流传输比 ...
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标签： ADUM 3200 双通道 数字隔离器
上传时间： 2013-10-11
上传用户：skhlm
ADUM1201: 双通道数字隔离器（1/1通道方向性） ADuM120x 是采用ADI公司iCoupler® 技术的双通道数字隔离器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体，具有优于光耦合器等替代器件的出色性能特征。 iCoupler器件不用LED和光电二极管，因而不存在一般与光耦合器相关的设计困难。简单的iCoupler 数字接口和稳定 ...
/dl/23631.html
标签： ADuM 1200 双通道 数字隔离器
上传时间： 2014-01-17
上传用户：hui626493
ADM2582E/ADM2587E是具备±15 kV ESD保护功能的完全集成式隔离数据收发器，适合用于多点传输线路上的高速通信应用。ADM2582E/ADM2587E包含一个集成式隔离DC-DC电源，不再需要外部DC/DC隔离模块。 该器件针对均衡的传输线路而设计，符合ANSI TIA/EIA-485-A-98和ISO 8482:1987(E)标准。 它采用ADI公司的iCoupler®技 ...
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标签： 2582E 2582 ADM 集成式
上传时间： 2013-10-27
上传用户：名爵少年
特点（FEATURES） 精确度0.2%满刻度±0.5℃（冷接点补偿）（Accuracy 0.2%F.S.±0.5℃（CJC）） 高精确度冷接点温度补偿（CJC traceability＜±0.5℃（0-70℃）) 热电偶误差补偿，与断线保护功能（Sensor error compensation(offset) and burnout protection function）) 16 BIT 隔离类 ...
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标签： 微电脑 传送器 热电偶 隔离
上传时间： 2014-12-24
上传用户：wojiaohs
特点（FEATURES） 精确度0.03%满刻度（Accuracy 0.03%F.S.） 频率输入范围0.01Hz至80KHz（Input range from 0.01 Hz to 80KHz） 16 BIT 隔离类比输出（16 bit DAC isolating analog output） 输入与输出1/输出2绝缘耐压 2仟伏特/1分钟（Dielectric strength 2KVac/1min.（input/output1/output2）） 宽范围交直流两用电源设 ...
/dl/23801.html
标签： 微电脑 传送器 频率 隔离
上传时间： 2013-10-21
上传用户：dljwq
针对电子仪器设备在线试验和自耦调压器使用中出现的用电不安全问题，提出了一种"隔离调压式交流电源"设计与制作方法，给出了原理和设计功能指标，确定了器件（部件）与结构优化组成，通过制作实验和对功能参数的测试，达到了设计要求，并具有很好的安全性。 ...
/dl/23852.html
标签： 隔离 调压式 交流电源
上传时间： 2013-10-22
上传用户：netwolf
MAX5094 CMOS、高性能、电流模式PWM控制器具有宽输入电压范围隔离/非隔离电源所需的所有特性。这些控制器非常适用于低功率和大功率通用电源及电信电源。MAX5094含有一个快速比较器，从电流检测端到输出的延时通常仅为60ns，用于过流保护功能。MAX5094内置一个误差放大器，在COMP端产生输出。采用外部元 ...
/dl/23856.html
标签： 5094 max 数据表
上传时间： 2013-10-31
上传用户：zhangxin
电能表专用6kvac高隔离防静电dc/dc电源模块的详细介绍 wrh 电力仪表专用6kvac高隔离防静电系列模块电源，具有输出稳压自恢复过载短路保护及8kv抗静电保护功能。 输入电压 5, 12, 15, 24 vdc 输出电压 3.3, 5, 9, 12, 15 ,18v, 24 ...
/dl/23895.html
标签： 6KVAC DC 电能表 电源模块
上传时间： 2013-10-23
上传用户：zgu489
电源隔离 光藕CNY75
/dl/24164.html
标签： CNY 75 电源隔离 光藕
上传时间： 2013-11-12
上传用户：togetsomething
设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较，指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响；提出了一种片上变压器的设计方法，即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式，解决了在CMOS工艺中设计 ...
/dl/24216.html
标签： CMOS 射频功率放大器 变压器 合成技术
上传用户：ewtrwrtwe
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