文档详细说明了NOR和NAND闪存各自的特性， 和使用要点。
/dl/136657.html
标签： NAND NOR 文档 闪存
上传时间： 2014-11-29
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TMS320FC20X C24X DSP (集成闪存）技术参考手册
/dl/138241.html
标签： C24X TMS 320 20X
上传时间： 2013-12-22
上传用户：koulian
使用闪存的文件系统,FAT16的. 应用环境是AVR的ATMega128芯片. 应用环境单一,也是转载,参考可以,直接使用 肯定有问题.
/dl/138942.html
标签： ATMega FAT 128 AVR
上传时间： 2013-12-17
上传用户：heart520beat
SST28SF040是SST公司推出的高速可编程闪存。它具有512k*8的存储结构 芯片擦除及写入的时间快,可靠性高,能够重复写100,000次,低功耗.以上程序是用c51编写的驱动程序，希望对使用该芯片的同仁有所帮助
/dl/140390.html
标签： SST 040 000 100
上传时间： 2014-12-22
上传用户：徐孺
此为FLASH闪存类编程国际标准，对闪存编程的朋友有指导价值
/dl/143690.html
标签： FLASH 闪存 编程 国际标准
上传时间： 2013-12-04
上传用户：jcljkh
读闪存卡的读写程序，包括读和写FLASH卡的操作子程序实例，很有价值。
/dl/143691.html
标签： 闪存卡 读写程序
上传时间： 2015-04-22
上传用户：h886166
用PDIUSBD12和K9F5608U0A设计USB移动闪存
/dl/148367.html
标签： K9F5608U0A PDIUSBD USB 12
上传时间： 2014-01-24
上传用户：youke111
这是ARM嵌入式开发中闪存的源码，相信对你有帮助
/dl/150009.html
标签： ARM 嵌入式开发 闪存 源码
上传时间： 2014-01-04
上传用户：dsgkjgkjg
“闪存(Flash)”这一名称，是源于该存储器件只需单步操作即能擦除其中所有内容的能力。军用装备很早就从这一能力中获益，军用装备都包含机密信息，一旦即将落入敌手，就应该迅速予以破坏。与EEPROM类似，Flash的数据存储也是通过向其晶体管栅区存入电荷来实现。电荷在栅上的存储是通过注入一定量的电荷、让其穿过绝缘氧化层 ...
/dl/180838.html
标签： Flash 闪存
上传时间： 2013-12-13
上传用户：叶山豪
Flash-ROM（闪存）已经成为了目前最成功、流行的一种固态内存，与 EEPROM 相比具有读写速度快，而与 SRAM 相比具有非易失、以及价廉等优势。而基于 NOR 和 NAND 结构的闪存是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 Intel 于 1988 年首先开发出 NOR flash 技术，彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1 ...
/dl/180839.html
标签： Flash-ROM 闪存 内存
上传时间： 2015-08-06
上传用户：lanwei
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