某些理想的运算放大器配置假定反馈电阻器呈现完美的匹配。而实际上，电阻器的非理想性会对各种电路参数产生影响，例如：共模抑制比 (CMRR)、谐波失真和稳定性
/dl/22740.html
标签： 502 DN 精准放大器 匹配电阻
上传时间： 2013-12-19
上传用户：2525775
高频磁放大器稳压电源的设计
/dl/23013.html
标签： EI 磁放大器 多路输出 变换器
上传时间： 2013-10-27
上传用户：Miyuki
高频磁放大器稳压电源具有诸多的优点，响应快，抗过载，抗干扰
/dl/23016.html
标签： 高频 磁放大器 稳压电源
上传用户：jinyao
基于SMIC0.35 μm的CMOS工艺，设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比的基准电压，通过电压放大器放大得到稳定的电压，以提供给带隙核心电路作为供电电源，从而提高了电源抑制比。另外，将电路中的关键电阻设置为可调电阻，从而可以改变正温度电压的系数， ...
/dl/23073.html
标签： CMOS 高电源抑制 工艺 基准电压源
上传时间： 2014-12-03
上传用户：88mao
随着通信信道的复杂度和可靠性不断增加，人们对于电信系统的要求和期望也不断提高。这些通信系统高度依赖于高性能、高时钟频率和数据转换器器 件，而这些器件的性能又非常依赖于系统电源轨的质量。当使用一个高噪声电源供电时，时钟或者转换器 IC 无法达到最高性能。仅仅只是少量的电源噪声，便会对性能产生极大的负 ...
/dl/23132.html
标签： LDO 德州仪器 家 分
上传时间： 2013-11-11
上传用户：jiwy
TI33072高转换率单电源运算放大器
/dl/23171.html
标签： 33072 TI tl 转换
上传时间： 2014-11-30
上传用户：rtsm07
将温度转换为电压的固态电路设计
/dl/24143.html
标签： 温度 固态电路 转换 电压
上传时间： 2013-11-25
上传用户：fairy0212
研究了MPP电荷耦合器件(CCD)暗电流和暗电流非均匀性的温度特性,并与非MPP CCD的暗电流和暗电流非均匀性的温度特性进行了对比分析。研究结果表明,MPP CCD抑制了表面暗电流,相较于非MPP CCD具有较低的暗电流和暗电流非均匀性,可以承受更高的工作温度。 ...
/dl/24190.html
标签： MPP CCD 电流 温度特性
上传时间： 2013-10-23
上传用户：netwolf
设计了一种可在CMOS射频功率放大器中用于功率合成的宽带变压器。通过对变压器的并联和串联两种功率合成形式进行分析与比较，指出了匝数比、功率单元数目以及寄生电阻对变压器功率合成性能的影响；提出了一种片上变压器的设计方法，即采用多层金属叠层并联以及将功放单元内置于变压器线圈中的方式，解决了在CMOS工艺中设计 ...
/dl/24216.html
标签： CMOS 射频功率放大器 变压器 合成技术
上传时间： 2014-12-24
上传用户：ewtrwrtwe
在传统正温度系数电流基础上,增加两种不同材料的电阻以实现带隙基准的二阶温度补偿,采用具有反馈偏置的折叠共源共栅运算放大器,使得所设计的带隙基准电路,具有较高的精度和温度稳定性。
/dl/24248.html
标签： 高精度 带隙基准源
上传时间： 2013-10-18
上传用户：604759954
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