LVDS接口EMC设计标准电路:
/dl/21146.html
标签： LVDS EMC 接口 设计标准
上传时间： 2013-10-31
上传用户：hopy
VIDEO接口EMC设计标准电路:
/dl/21149.html
标签： VIDEO EMC 接口 设计标准
上传时间： 2013-12-18
上传用户：zcs023047
USB接口EMC设计标准电路:
/dl/21152.html
标签： USB EMC 接口 设计标准
上传时间： 2014-08-08
上传用户：dyctj
VGA接口EMC设计标准电路:
/dl/21155.html
标签： VGA EMC 接口 设计标准
上传时间： 2013-10-11
上传用户：asasasas
xDSL接口EMC设计标准电路:
/dl/21158.html
标签： xDSL EMC 接口 设计标准
上传时间： 2014-12-23
上传用户：tyler
以太网接口EMC设计标准电路:
/dl/21161.html
标签： EMC 以太网接口 设计标准 电路
上传时间： 2013-11-15
上传用户：cuibaigao
IEEE1149.4混合信号测试总线标准
/dl/21202.html
标签： 1149.4 标准
上传时间： 2013-10-14
上传用户：yuhaihua_tony
本文依据微波电磁场理论概述了微带铁氧体器件在毫米波频率下的工作模式, 探讨了毫米波微带铁氧体器件的电参数的设计考虑, 对从事毫米波微带铁氧体器件的研究, 提供了基本的设计模型, 以期引起进一步的探讨。
/dl/21223.html
标签： 亳米波 微带环行器 模型
上传时间： 2013-10-07
上传用户：66666
在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。 ...
/dl/21233.html
标签： p-n 隧道 击穿 模型研究
上传用户：summery
采用三维泊松方程和二维薛定谔方程自洽求解方法,建立量子点接触器件（QPC）内的电势分布和二维电子气层的电子密度分布的准三维模型及模拟方法,并将模拟结果与传统的Buttiker鞍型电势分布进行比较。
/dl/21234.html
标签： 量子点 接触器 电势 数值
上传时间： 2013-10-18
上传用户：ZOULIN58
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