单片机专辑 258册 4.20GMotorola 集成电路应用技术丛书 TMOS功率场效应晶体管原理及应用 292页 9.9M.pdf
/dl/505364.html
标签：
上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
超声,红外,激光,无线,通讯相关专辑 183册 1.48G热释电效应及其应用 285页 3.9M.pdf
/dl/506138.html
常用大功率高耐压场效应管参数114种.doc (144KB) -
/dl/508382.html
标签： aaaa
上传时间： 2015-12-01
上传用户：123456@
抗多径衰落是正交频分复用（OFDM）系统的显著特点之一。具体分析了 OFDM 抗多径的机理，说明了两种不同情况下多径对信号频谱的影响，并提出了相应的减轻多径影响的方法。通过仿真分析验证了HiperLAN Type2 标准规定的 OFDM 系统的抗多径性能，并提出了一些改善系统性能的方法。 关键词：正交频分复用 ...
/dl/511525.html
标签： OFDM 多径 机理分析 系统仿真
上传时间： 2016-06-05
上传用户：mengmeng
本书以热分析动力学方程为主线,汇集了20世纪后50年国内外热分析动力学研究的最新学术成果.本书内容共分三部分:第一部分包括热分析动力学理论、方法和技术的回顾;两类动力学方程和三类温度积分式的数学推导;最概然机理函数的推断.第二部分系统地总结了近50年发展起来的用微、积分法处理热分析曲线的成果.第三部分涉及动力学 ...
/dl/512245.html
标签： 热分析 动力学
上传时间： 2016-07-11
上传用户：yqstar
巧识晶体管_场效应管电路符号的意义巧识晶体管_场效应管电路符号的意义
/dl/512689.html
标签： 晶体管 场效应管 电路符号
上传时间： 2016-08-10
上传用户：zh1296404500
lcos边缘场效应在实际应用中极大的影响了显示器件的性能，因此如何改善成为了重点关注的问题
/dl/515604.html
标签： lcos边缘场效应
上传时间： 2017-07-28
上传用户：erick
MAT261质谱计二次电子倍增器歧视效应研究和计数
/dl/520408.html
标签： MAT 261 质谱 电子 倍增器 效应
上传时间： 2019-07-14
上传用户：chen_ying993
场效应管的驱动输出是一个比较常见的问题。虽然场效应管导通电阻比晶体管要低很多很多，但要让它完全导通与关闭并不简单。比较简单的驱动办法是用专门的集成电路。美国IR2110芯片系常用的双通道驱动场效应管的集成芯片。设计为高、低双通道驱动输出。本电路不同点在于舍去了低通道驱动输出，采用高通道独立驱 ...
/dl/521611.html
标签： 2110 IR 芯片 单通道 场效应管 输出
上传时间： 2020-05-02
上传用户：fongwh55
IR2110为场效应管专用双通道驱动芯片。但是在单通道驱动场效应管输出电路还不多见，这个电路的用法有参考价值。电路简洁，
/dl/521612.html
标签： 2110 IR 场效应管 低端 单通道 驱动芯片 输入 输出
虫虫下载站 半导体技术网 电子研发网 源码地带 电源技术网 单片机技术网 医疗电子技术 嵌入式系统与单片机
