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性能特性 7055

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  • 通过单个加速度计增强计步器的性能

    通过单个加速度计增强计步器的性能

    /dl/20547.html

    标签: 加速度计 计步器 性能

    上传时间: 2013-10-17

    上传用户:jcljkh

  • RC桥式振荡电路性能研究与仿真

    针对RC桥式低频信号振荡器的性能和应用,对振荡电路的基本结构及性能指标进行探讨,分别从选频网络、稳幅环节及频率可调三个方面对电路性能进行改进,并结合仿真软件进行验证,得出性能完善,频率可在17 Hz~265.4 kHz之间连续可调的正弦波振荡器。 ...

    /dl/20629.html

    标签: RC桥 振荡电路 性能 仿真

    上传时间: 2013-11-23

    上传用户:wkchong

  • 电流型运算放大器在应用电路中的特性研究

      文中简要介绍了电流型运放的特性,着重对电流型运放的应用电路进行测试,研究电流型运放的应用特性。实验中,选择典型电流型运放及电压型运放构建负阻变换器、电压跟随器和同相比例放大器,通过对此3类应用电路的测试,分析、总结运放参数对特殊应用电路的影响,为电路设计者在具体电路的设计中恰当选择适合的放大器 ...

    /dl/20727.html

    标签: 电流型 应用电路 运算放大器

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:13736136189

  • 晶体管性能讲解

    晶体管的结构及性能

    /dl/20767.html

    标签: 晶体管 性能

    上传时间: 2013-10-11

    上传用户:dudu1210004

  • AD量化位数对抗干扰性能影响

    数字接收机输入端的信噪比对其捕获性能具有较大的影响,文中通过理论和大量实验反正分析了量化位数对导航信号相对捕获峰值及信噪比的影响,并分析了在给定抗干扰指标下卫星导航抗干扰系统所需的最小及最多量化位数,为实现导航抗干扰系统时合理选择量化位数提供了理论依据。 ...

    /dl/20773.html

    标签: 量化 抗干扰 性能影响

    上传时间: 2013-10-09

    上传用户:妄想演绎师

  • 数字隔离器为工业电机驱动应用带来性能优势

    工业电机驱动中使用的电子控制必须能在恶劣的电气环境中提供较高的系统性能。电源电路会在电机绕组上导致电压沿激增现象,而这些电压沿则可以电容耦合进低电压电路之中。电源电路中,电源开关和寄生元件的非理想行为也会产生感性耦合噪声。控制电路与电机和传感器之间的长电缆形成多种路径,可将噪声耦合到控制反馈信号中 ...

    /dl/21013.html

    标签: 数字隔离器 工业电机 带来 性能

    上传时间: 2013-11-03

    上传用户:jhs541019

  • 高等模拟集成电路

    近年来,随着集成电路工艺技术的进步,电子系统的构成发生了两个重要的变化: 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心,一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上(称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用,并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模,而且具有可 ...

    /dl/21118.html

    标签: 模拟集成电路

    上传时间: 2013-11-13

    上传用户:chengxin

  • 16位高速模数转换模块的设计及其动态性能测试

    本文结合研究所科研项目需要,基于16 位高速ADC 芯片LTC2204,设计了一种满足课题要求的高速度高性能的16 位模数转换板卡方案。该方案中的输入电路和时钟电路采用差分结构,输出电路采用锁存器隔离结构,电源电路采用了较好的去耦措施,并且注重了板卡接地设计,使其具有抗噪声干扰能力强、动态性能好、易实现的特点。 ...

    /dl/21133.html

    标签: 模数转换 模块 动态 性能测试

    上传时间: 2013-11-10

    上传用户:cc1

  • 虚拟实现技术在典型差动放大电路特性分析中的应用

    介绍了差动放大电路演变历程,理论上分析了典型差动放大的工作原理以及特性参数的计算公式:应用虚拟实现技术一Pmteus软件进行了静态特性、差模输入信号、共模输入信号的实验研究,并对实验现象进行了分析。

    /dl/21157.html

    标签: 虚拟实现技术 典型 中的应用 差动放大电路

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:zukfu

  • SiCOI MESFET的特性分析

    使用ISE-TCAD二维器件仿真软件,对SiCOI MESFET的电学特性进行模拟分析。结果表明,通过调整器件结构参数,例如门极栅长、有源层掺杂浓度、有源区厚度等,对器件转移特性、输出特性有较大影响。

    /dl/21219.html

    标签: MESFET SiCOI 特性分析

    上传时间: 2013-10-23

    上传用户:PresidentHuang