利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管，电路采用二级级联放大的结构形式，利用微带电路实现输入输出和级间匹配，通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最终 ...
/dl/20512.html
标签： GHz 波段 低噪声放大器 仿真设计
上传时间： 2014-07-03
上传用户：远远ssad
基于ADS软件，选取合适的静态直流工作点，采用负载牵引法得到LDMOS晶体管BLF7G22L130的输出和输入阻抗特性，并通过设计和优化得到最佳的共轭匹配网络，设计出高效率功率放大器。ADS设计仿真表明该功率放大器在中心频率2 160 MHz处的效率达到70%，稳定性好、增益平坦度小等优点。 ...
/dl/20592.html
标签： ADS 高效率 微波功率 放大器设计
上传时间： 2013-11-21
上传用户：王庆才
晶体管电路设计
/dl/20618.html
标签： 晶体管 电路设计
上传时间： 2013-10-16
上传用户：6546544
晶体管及其放大电路
/dl/20752.html
标签： 晶体管 放大电路
上传时间： 2013-11-23
上传用户：cccole0605
晶体管的结构及性能
/dl/20767.html
标签： 晶体管 性能
上传时间： 2013-10-11
上传用户：dudu1210004
晶体管电路设计(上).pdf
/dl/21092.html
上传时间： 2013-10-22
上传用户：qlpqlq
采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5～12 GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11 dB,带内波动<0.5 dB,在9 GHz工作频率时,其1 dB压缩点处的输出功率为26 dBm。
/dl/21282.html
标签： GHz 12 复合管 功率
上传时间： 2013-11-04
上传用户：marten
场效应晶体管放大电路的动态分析 共源组态基本放大电路的动态分析 共漏组态基本放大电路的动态分析
/dl/21416.html
标签： 场效应晶体管 动态分析 放大电路
上传时间： 2013-10-30
上传用户：dianxin61
世界最新晶体管代换手册 一、半导体器件型号命名法二、手册中使用的缩略语三、晶体管参数符号及其说明四、晶体管代换的原则和方法五、晶体管型号、用途、参数及其相互代换表六、世界各国晶体管外形尺寸和引脚排列图七、日本晶体管外形、尺寸和引脚排列图 ...
/dl/21458.html
标签： 晶体管 代换手册
上传时间： 2013-11-10
上传用户：wwwe
为使本书成为国内目前 最新、最全、最适用的晶体管 代换手册，编者根据国内外 出版的最新资料，在1992年 最新增订版的基础上，又增 加了数千种日本晶体管和数 千种欧州晶体管型号及其代 换的国内外型号，并且，还介 绍了美国1985年以前生产 的3N型场效应管及其代换 型号。 本手册介绍了数 ...
/dl/21460.html
上传时间： 2013-12-11
上传用户：liu999666
虫虫下载站 半导体技术网 电子研发网 源码地带 电源技术网 单片机技术网 医疗电子技术 嵌入式系统与单片机
