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动态参数 8797

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  • Verilog_HDL的基本语法详解(夏宇闻版)

            Verilog_HDL的基本语法详解(夏宇闻版):Verilog HDL是一种用于数字逻辑电路设计的语言。用Verilog HDL描述的电路设计就是该电路的Verilog HDL模型。Verilog HDL既是一种行为描述的语言也是一种结构描述的语言。这也就是说,既可以用电路的功能描述也可以用元器件和它们之 ...

    /dl/39407.html

    标签: Verilog_HDL

    上传时间: 2014-12-04

    上传用户:cppersonal

  • 基于FPGA部分动态可重构的信号解调系统的实现

        针对调制样式在不同环境下的变化,采用了FPGA部分动态可重构的新方法,通过对不同调制样式信号的解调模块的动态加载,来实现了不同环境下针对不同调制样式的解调。这种方式比传统的设计方式具有更高的灵活性、可扩展性,并减低了成本和功耗。该设计方案同时也介绍了FPGA部分动态可重构的概念和特点,可 ...

    /dl/39837.html

    标签: FPGA 部分动态可重构 信号解调系统

    上传时间: 2013-10-22

    上传用户:liangliang123

  • PCB板材的分类与参数

    PCB板材的分类与参数

    /dl/39864.html

    标签: PCB 板材 分类 参数

    上传时间: 2015-01-02

    上传用户:远远ssad

  • WP370 -采用智能时钟门控技术降低动态开关功耗

        赛灵思推出业界首款自动化精细粒度时钟门控解决方案,该解决方案可将 Virtex®-6 和 Spartan®-6 FPGA 设计方案的动态功耗降低高达 30%。赛灵思智能时钟门控优化可自动应用于整个设计,既无需在设计流程中添加更多新的工具或步骤,又不会改变现有逻辑或时钟,从而避免设计修改。此外,在大多数情况下 ...

    /dl/40138.html

    标签: 370 WP 智能时钟 动态

    上传时间: 2015-01-02

    上传用户:wutong

  • 感应电机的参数辨识

    感应电机的参数辨识

    /dl/40958.html

    标签: 感应电机 参数辨识

    上传时间: 2013-10-17

    上传用户:qilin

  • 常用场效应管及晶体管参数

    IC参数

    /dl/41267.html

    标签: 场效应管 晶体管参数

    上传时间: 2015-01-02

    上传用户:digacha

  • LabVIEW深入探索

    工程资源管理器 如何创建和使用 LabVIEW 中的 LLB 文件 如何使用 VI 的重入属性(Reentrant) 用户自定义控件中 Control, Type Def. 和 Strict Type Def. 的区别 调整控件和函数面板的首选项 在文件夹下直接创建新的 VI 图标编辑器上的鼠标双击技巧 第二章:简单程序结构 顺序结构 选择结构 事件结构 循环结构 定时结构 缓 ...

    /dl/41664.html

    标签: LabVIEW

    上传时间: 2013-11-01

    上传用户:ruixue198909

  • 晶体管参数测试仪的设计

    以LM3S1138芯片作为控制核心,设计了一个晶体管参数测试系统。该系统主要功能模块包括:恒流源阶梯信号、电压扫描信号、升压电路、保护电路等。利用8位D/A转换器产生稳定的控制电压,通过集成在LM3S1138芯片中的10位A/D模块完成电压的测量。通过RS232接口将测量数据传送到PC机,利用Matlab软件实现对测量数据的处理和显示。 ...

    /dl/41688.html

    标签: 晶体管参数 仪的设计 测试

    上传时间: 2013-10-23

    上传用户:ZOULIN58

  • 基于单摄像机的电力设施侵入目标参数计算

    基于单摄像机成像的电力设施侵入目标的参数计算,首先采用成本较低的单摄像机单目视觉系统,对摄像机监控范围内的空间进行三维建模,便于对其监控范围内的各种物体进行距离测算与三维尺寸测算;接着依据立体视觉系统,对采用最新的模式识别技术识别出的入侵物的大小和距离进行计算,判断威胁程度。文中提出的基于单摄像机成 ...

    /dl/41753.html

    标签: 摄像机 参数计算 电力

    上传时间: 2013-11-02

    上传用户:chens000

  • 基于太赫兹时域光谱的半导体材料参数测量

    提出了一个考虑FP 效应的半导体材料参数测量方案。利用该方案可以在时域波形中,截取多个反射回峰,以提高材料参数提取的精确度。另外,考虑到多重反射对样品厚度的准确性要求较高,提出了一种有效的厚度优化方法。以GaAs 为待测样品,利用上述方法精确提取了其折射率与消光系数谱. ...

    /dl/41777.html

    标签: 太赫兹 光谱 半导体材料 参数测量

    上传时间: 2013-12-16

    上传用户:alan-ee