摘要:从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的 ...
/dl/21393.html
标签: MOSFET Power 实际应用 条件下
上传时间: 2013-11-10
上传用户:wfeel
本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。 前段时间,一同学跟我说,他用单片机做了一个简单的 LED 台灯,用 PWM的方式控制灯的亮度,但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一,我问他3V 时 LED 的发光电流是多大,他说大概十几到二十 mA,我又问他电阻多大,他说 10KΩ。于是我笑笑说你把 ...
/dl/20880.html
标签: MOSFET BJT 开关应用
上传时间: 2013-11-02
上传用户:ZJX5201314
单开关(或称单晶体管)正激转换器是一种最基本类型的基于变压器的隔离降压转换器,广泛用于需要大降压比的应用。这种转换器的优点包括只需单颗接地参考晶体管,及非脉冲输出电流减小输出电容的均方根纹波电流含量等。但这种转换器的功率能力小于半桥或全桥拓扑结构,且变压器需要磁芯复位,使这种转换器的最大占空比限制在约 ...
/dl/24093.html
标签: 双开关 正激转换器 应用设计
上传时间: 2013-12-22
上传用户:786334970
设计功率MOSFET驱动电路时需重点考虑寄生参数对电路的影响。米勒电容作为MOSFET器件的一项重要参数,在驱动电路的设计时需要重点关注。重点观察了MOSFET的开通和关断过程中栅极电压、漏源极电压和漏源极电流的变化过程,并分析了米勒电容、寄生电感等寄生参数对漏源极电压和漏源极电流的影响。分析了栅极电压在米勒平台附近产 ...
/dl/831921.html
标签: mosfet
上传时间: 2022-04-02
上传用户:默默
CAXA制造工程师实体造型生成曲面的数控加工进退刀方法的探讨
/dl/582.html
标签: 制造 工程师 实体 数控加工
上传时间: 2013-07-01
上传用户:eeworm
针对开关电源中的整流电路和其本身的非线性负载特性产生大量谐波污染公共电网问题,提出了一种高功率因素校正电路。采用英飞凌(Infineon)公司的CCM控制模式功率因素校正芯片ICE2PCS01控制驱动MOSFET开关管,并与升压电感、输出电容等组成Boost拓扑结构,输入电流与基准电流比较后的误差电流经过放大,再与PWM波比较,得到 ...
/dl/22788.html
标签: 2PCS ICE2 ICE PCS
上传时间: 2014-01-25
上传用户:13517191407
怎样判断IGBT MOS管的好坏?怎么检测它的引脚?IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡,用万用表测量时, 若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大, 则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量, 若测得阻值为无穷大, 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则 ...
/dl/836380.html
标签: igbt mos管
上传时间: 2022-06-22
上传用户:2431247090
大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
/dl/2688.html
标签: MOSFET 大功率开关电源 功率 驱动技术
上传时间: 2013-04-15
专辑类-开关电源相关专辑-119册-749M 大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术.pdf
/dl/4955.html
标签: MOSFET 大功率开关电源 功率
上传时间: 2013-06-22
上传用户:jiachuan666
以C8051F330为核心,开发单端正激型开关电源充电器,C8051F330负责电流环及电压环采样及对应脉宽PWM输出,控制主电路MOSFET管,构成负反馈.
/dl/242161.html
标签: C8051F330 MOSFET 8051 330
上传时间: 2013-12-25
上传用户:xz85592677
虫虫下载站 半导体技术网 电子研发网 源码地带 电源技术网 单片机技术网 医疗电子技术 嵌入式系统与单片机