提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm ...
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标签: gm_ID 可变增益放大器
上传时间: 2013-11-10
上传用户:笨小孩
MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后,Vds开始下降,Id开始上升,此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应,Vgs会持续一段时间不再上升,此时Id已经达到最大,而Vds还在继续下降,直到米勒 ...
/dl/831320.html
标签: MOS管
上传时间: 2022-03-20
上传用户:得之我幸78
此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在全桥LLC电路中的系统性能,该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计,具有开尔文源极连接,可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口 ...
/dl/839556.html
标签: 全桥谐振 LLC转换器
上传时间: 2022-07-17
上传用户:zhaiyawei
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