The SIEMENS Grounded Emitter Transistor Line is a completely new generation of silicon
bipolar ju
资源简介：利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管，电路采用二级级联放大的结构形式，利用微带电路实现输入输出和级间匹配，通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电...
上传时间： 2014-07-03
上传用户：远远ssad
资源简介：低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一，文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管，设计了一种应用于5.5~6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益，该电路采用三级级联放大结构形式，并通过ADS软件对电路的增益、噪声系数、...
上传时间： 2013-11-15
上传用户：brilliantchen
资源简介：计算器 2.1. 设计内容 2.2. 设计要求 2.3. 总体设计 2.4. 具体设计 2.4.1. 运行效果与程序发布 2.4.2. 主类 ComputerPad 2.4.3. 数值按钮NumberButton 2.4.4. 运算符号按钮OperationButton
上传时间： 2013-12-26
上传用户：teddysha
资源简介：cc2420-A True System-on-Chip solution for 2.4 GHz IEEE 802.15.4 / ZigB
上传时间： 2013-12-22
上传用户：15071087253
资源简介：详述802.11g-2003 在2.4 GHZ带宽高速传输技术、标准
上传时间： 2017-07-15
上传用户：gyq
资源简介：0234、1.8V 5.2 GHz 差分结构CMOS 低噪声放大器
上传时间： 2014-04-09
上传用户：cgmmei
资源简介：射频低噪声放大器的ADS设计:本文首先简要介绍了低噪声放大器设计的理论基础，并以2.1－2.4Ghz 低噪声放大器为例，详细阐述了如何利用Agilent 公司的ADS 软件进行分析和优化设计该电
上传时间： 2013-06-18
上传用户：han_zh
资源简介：基于低噪声放大器（LNA）的噪声系数和驻波比之间的矛盾，本文采用安捷伦公司的ATF54143晶体管计了一款工作于890~960 MHz平衡式低噪声放大器。该设计分为两部分：3 dB 90°相移定向耦合器和并联的低噪声放大器。本文中首先介绍LNA相关理论，然后通过安捷伦公司...
上传时间： 2013-11-02
上传用户：410805624
资源简介：详细讲解了低噪声放大器的设计
上传时间： 2013-11-05
上传用户：crazyer
资源简介： 基于0．25gm PHEMT工艺，给出了两个高增益K 波段低噪声放大器．放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构，通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声；采用直流偏置上加阻容网络，用来消除低频增益和振荡；三级电路通过电阻共用一...
上传时间： 2014-12-23
上传用户：masochism
