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基于CMOS工艺的低压差线性稳压器研究.rar

资 源 简 介

近年来,随着集成电路技术和电源管理技术的发展,低压差线性稳压器(LDO)受到了普遍的关注,被广泛应用于便携式电子产品如PDA、MP3播放器、数码相机、无线电话与通信设备、医疗设备和测试仪器等中,但国内研究起步晚,市场大部分被国外产品占有,因此,开展本课题的研究具有特别重要的意义。 首先,简单阐述了课题研究的背景及意义,分析了低压差线性稳压器(LDO)研究的现状和发展趋势,并提出了设计的预期技术指标。 其次,详细分析了LDO线性稳压器的理论基础,包括其结构、各功能模块的作用、系统工作原理、性能指标定义及设计时对性能指标之间相互矛盾的折衷考虑。 再次,设计了基于自偏置电流源的带隙基准电压源,选取PMOS管作为系统的调整元件并计算出了其尺寸,设计了基于CMOS工艺的两级误差运算放大器。利用HSPICE工具仿真了基准电压源和误差运算放大器的相关性能参数。 然后,重点分析了稳压器的稳定性特征,指出系统存在的潜在不稳定性,详细论述了稳定性补偿的必要性,比较了业界使用过的几种稳定性补偿方法的不足之处,提出了一种基于电容反馈VCCS的补偿方法,对系统进行了稳定性的补偿; 最后,将所设计的模块进行联合,设计了一款基于CMOS工艺的LDO线性稳压器电路,利用HSPICE工具验证了其压差电压、静态电流、线性调整率等性能指标,仿真结果验证了理论分析的正确性、设计方法的可行性。

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